[實(shí)用新型]VOC光催化處理系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920466066.8
• 申請(qǐng)日: 2019-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN210131535U
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 易爭(zhēng)明;吳際峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湘潭大學(xué)
• 主分類號(hào): B01D53/86
• 分類號(hào): B01D53/86;B01D53/90;B01D53/96;B01D53/44
• 代理公司: 深圳市中原力和專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44289
• 代理人: 胡國良

1.一種VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，包括催化處理裝置、沉淀裝置、管路、混合裝置及循環(huán)裝置，所述催化處理裝置和所述循環(huán)裝置安裝于所述沉淀裝置的上方并相互間隔，所述沉淀裝置被分隔成位于所述催化處理裝置下方的第一沉淀區(qū)、位于所述循環(huán)裝置下方的第二沉淀區(qū)以及位于所述第一沉淀區(qū)和所述第二沉淀區(qū)之間的澄清區(qū)，所述管路包括第一管路、第二管路、第三管路及第四管路，所述第一管路連通所述第一沉淀區(qū)和所述混合裝置，所述第二管路連通所述澄清區(qū)和所述混合裝置，所述第三管連通所述混合裝置和所述循環(huán)裝置，所述第四管路連通所述第二沉淀區(qū)和所述催化處理裝置，廢氣自所述催化處理裝置進(jìn)入，由所述循環(huán)裝置排出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述催化處理裝置包括具有進(jìn)氣口的第一殼體、收容于所述第一殼體內(nèi)的第一噴嘴及與所述第一噴嘴間隔設(shè)置的催化光源，廢氣由所述進(jìn)氣口進(jìn)入，所述第一噴嘴與所述第四管路連通，用于淋噴處理液，所述處理液中包括催化劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第一噴嘴的設(shè)置方向與氣體的運(yùn)動(dòng)方向相反，所述催化劑為TiO₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述沉淀裝置包括頂壁、與所述頂壁相對(duì)設(shè)置的底壁以及連接所述頂壁和所述底壁的側(cè)壁，所述頂壁、所述底壁及所述側(cè)壁配合形成容納空間，所述催化處理裝置和所述循環(huán)裝置安裝于所述頂壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述沉淀裝置還包括固定于所述底壁并相互間隔設(shè)置的兩個(gè)隔板，所述隔板的高度小于所述側(cè)壁的高度，兩個(gè)所述隔板將所述容納空間分隔形成所述第一沉淀區(qū)、所述澄清區(qū)和所述第二沉淀區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述側(cè)壁對(duì)應(yīng)所述第一沉淀區(qū)的位置開設(shè)有第一出液孔；對(duì)應(yīng)所述澄清區(qū)的位置開設(shè)有第二出液孔；對(duì)應(yīng)所述第二沉淀區(qū)的位置開設(shè)有第三出液孔，所述第一出液孔、第二出液孔及所述第三出液孔均設(shè)置于所述側(cè)壁底部位置，所述第一管路與所述第一出液孔連接，所述第二管路與所述第二出液孔連接，所述第四管路與所述第三出液孔連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述循環(huán)裝置包括具有出氣口的第二殼體、收容于所述第二殼體內(nèi)的第二噴嘴、設(shè)于所述第二噴嘴下方的填料層以及環(huán)設(shè)于所述填料層周圍的微波裝置，處理后的氣體由所述出氣口排出，所述第二噴嘴與所述第三管路連通，且所述第二噴嘴的朝向與氣體的運(yùn)動(dòng)方向相反。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述循環(huán)裝置還包括固定于所述第二殼體靠近所述出氣口一端的除霧層以及固定于所述第二殼體靠近所述沉淀裝置一端的機(jī)械擋板，所述第二噴嘴及所填料層位于所述除霧層和所述機(jī)械擋板之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的VOC光催化處理系統(tǒng)，其特征在于，所述填料層的數(shù)量為三個(gè)，三個(gè)所述填料層相互間隔，所述微波裝置的數(shù)量與所述填料層的數(shù)量相匹配。