[實用新型]一種基板后處理裝置

有效

• 申請號: 201920462276.X
• 申請日: 2019-04-08
• 公開（公告）號: CN210092034U
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 王同慶;王劍;許振杰;路新春
• 申請（專利權）人: 清華大學;天津華海清科機電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及化學機械拋光后處理技術領域，公開了一種基板后處理裝置，該裝置包括：用于旋轉基板的承載單元、向基板噴射流體的供給單元、流體收集單元以及環狀擋板組件。擋板組件圍繞承載單元設置且擋板組件內壁與基板邊緣的距離設置成使得從該基板濺射至該擋板組件內壁的流體不會反濺至該基板表面。從而避免了從基板表面飛散的流體反濺而再次沾染基板造成的二次污染，改善了清洗效果。

技術領域

本實用新型涉及化學機械拋光后處理技術領域，尤其涉及一種基板后處理裝置。

背景技術

化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是一種全局平整化的超精密表面加工工藝。由于化學機械拋光中大量使用的化學試劑和研磨劑會造成基板表面的污染，所以在化學機械拋光之后需要引入后處理工藝，后處理工藝一般由清洗和干燥組成，以提供光滑潔凈的基板表面。

在通常的后處理工藝中，濕式清洗較為常用，其一方面利用機械作用使基板表面的污染物脫離并進入清洗液中，另一方面利用清洗液與基板表面的污染物發生化學反應使其溶解到清洗液中，從而實現從基板表面去除污染物。

專利CN104956467B公開了一種用于化學機械平坦化的基板清洗設備，其中清洗部分包括并列的數個清洗模塊和烘干模塊以使晶圓依次通過，晶圓豎直放入清洗模塊的腔室中進行刷洗，刷洗完畢后再送入烘干模塊進行烘干。

現有技術中將清洗和烘干分為多個模塊，體積較大。且濕式清洗方法一般是將基板豎直放置在容器內進行旋轉同時向基板噴淋清洗液，在此過程中，從基板表面濺射的清洗液飛散至容器內壁后會反彈而重新落在基板表面造成基板的二次污染，清洗效果差。并且為了消除二次污染的影響需要反復多次對基板進行沖洗，增加了清洗液的使用量，導致耗材浪費，提高生產成本，且反復沖洗過程增加了清洗時間，降低了清洗效率。

發明內容

本實用新型實施例提供了一種基板后處理裝置，旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。

本實用新型實施例提供的一種基板后處理裝置，包括：用于旋轉基板的承載單元、向基板噴射流體的供給單元、流體收集單元以及環狀擋板組件；擋板組件圍繞承載單元設置且擋板組件內壁與基板邊緣的距離設置成使得從該基板濺射至該擋板組件內壁的流體不會反濺至該基板表面。

在一個實施例中，承載單元和擋板組件均位于流體收集單元內，擋板組件位于承載單元外側，承載單元使基板保持水平。

在一個實施例中，擋板組件內壁與基板邊緣的水平距離為30mm至100mm。

在一個實施例中，流體收集單元包括兩個以上環形腔室，以分別收集不同類型的流體。

在一個實施例中，擋板組件包括第一擋板，其具有平行于流體收集單元外壁的豎部以及分別從豎部的上部朝承載單元向上傾斜延伸的上斜部和朝承載單元向下傾斜延伸的下斜部，上斜部和下斜部將從基板濺射的流體引導至流體收集單元的第一腔室，豎部將從基板濺射的流體引導至流體收集單元的第二腔室，第一腔室位于第二腔室內側。

在一個實施例中，擋板組件還包括位于第一擋板外側的第二擋板，其由平行于流體收集單元外壁的豎直部和從豎直部的上部朝承載單元向上傾斜延伸的傾斜部構成。

在一個實施例中，基板后處理裝置還包括用于控制擋板組件獨立升降的擋板升降單元。

在一個實施例中，擋板升降單元包括氣缸、活動連板和擋板支撐桿，氣缸的一端連接流體收集單元，氣缸的另一端連接活動連板，活動連板通過擋板支撐桿與擋板組件連接以通過氣缸帶動擋板組件升降。

在一個實施例中，供給單元包括至少一個上表面噴淋組件和至少一個下表面噴淋組件。

在一個實施例中，上表面噴淋組件包括噴嘴、機械臂和供流管路，供流管路與噴嘴接通，機械臂與噴嘴連接以帶動噴嘴移動。