[實用新型]一種基板后處理裝置有效
| 申請號: | 201920462276.X | 申請日: | 2019-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN210092034U | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 王同慶;王劍;許振杰;路新春 | 申請(專利權)人: | 清華大學;天津華海清科機電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基板后 處理 裝置 | ||
1.一種基板后處理裝置,包括:用于旋轉基板的承載單元、向所述基板噴射流體的供給單元、流體收集單元以及環狀擋板組件;所述擋板組件圍繞所述承載單元設置且所述擋板組件內壁與所述基板邊緣的距離設置成使得從該基板濺射至該擋板組件內壁的流體不會反濺至該基板表面。
2.如權利要求1所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述承載單元和所述擋板組件均位于所述流體收集單元內,所述擋板組件位于所述承載單元外側,所述承載單元使所述基板保持水平。
3.如權利要求1所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述擋板組件內壁與所述基板邊緣的水平距離為30mm至100mm。
4.如權利要求1所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述流體收集單元包括至少兩個同心設置的環形腔室,以分別收集不同類型的流體。
5.如權利要求4所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述擋板組件包括至少兩個同心間隔設置的環形擋板。
6.如權利要求5所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述擋板組件包括第一擋板,其具有平行于所述流體收集單元外壁的豎部以及分別從所述豎部的上部朝所述承載單元向上傾斜延伸的上斜部和朝所述承載單元向下傾斜延伸的下斜部,所述上斜部和所述下斜部將從所述基板濺射的流體引導至所述流體收集單元的第一腔室,所述豎部將從所述基板濺射的流體引導至所述流體收集單元的第二腔室,所述第一腔室位于所述第二腔室內側。
7.如權利要求6所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述擋板組件還包括位于所述第一擋板外側的第二擋板,其由平行于所述流體收集單元外壁的豎直部和從所述豎直部的上部朝所述承載單元向上傾斜延伸的傾斜部構成。
8.如權利要求1至7任一項所述的基板后處理裝置,其特征在于,還包括用于控制所述擋板組件獨立升降的擋板升降單元。
9.如權利要求8所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述擋板升降單元包括氣缸、活動連板和擋板支撐桿,所述氣缸的一端連接所述流體收集單元,所述氣缸的另一端連接所述活動連板,所述活動連板通過所述擋板支撐桿與所述擋板組件連接以通過所述氣缸帶動所述擋板組件升降。
10.如權利要求1至7任一項所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述供給單元包括至少一個上表面噴淋組件和至少一個下表面噴淋組件。
11.如權利要求10所述的基板后處理裝置,其特征在于,所述上表面噴淋組件包括噴嘴、機械臂和供流管路,所述供流管路與所述噴嘴接通,所述機械臂與所述噴嘴連接以帶動所述噴嘴移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





