[實用新型]集成電路和器件

有效

• 申請號: 201920454682.1
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN209843710U
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: P·波伊文;J·J·法戈;E·佩蒂特普瑞茲;E·蘇謝爾;O·韋伯
• 申請（專利權）人: 意法半導體(克洛爾2)公司;意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L21/8222;H01L27/24
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

本公開的實施例涉及包括集成電路和器件。本公開涉及包括一行或多行晶體管的集成電路。在一個實施例中，集成電路包括雙極晶體管行，該雙極晶體管行包括多個第一導電區域、第二導電區域以及共用基極，共用基極位于第一導電區域和第二導電區域之間。絕緣溝槽與雙極晶體管行中的每個雙極晶體管接觸。導電層位于絕緣溝槽和共用基極上，位于第一導電區域之間。間隔件層位于導電層和第一導電區域之間。

技術領域

本公開涉及集成電路。本公開更特別地適用于形成存儲器單元的陣列。

背景技術

存儲器通常采用陣列的形式，陣列包括字線和列(或者位線)。包含二進制信息的存儲器單元位于字線和位線的每個交叉點處。

在相變存儲器中，每個存儲器單元包括相變材料層，其下部與電阻性元件接觸。相變材料是可以從結晶相轉變為無定型相(反之亦然)的材料。這種轉變是由電流傳導所通過的電阻性元件的溫度的升高導致的。材料的無定型相與其晶相之間的電阻差用于定義兩種存儲器狀態，例如0和1。

在相變存儲器的示例中，存儲器單元例如由雙極晶體管控制，雙極晶體管傳導或者不傳導用于加熱電阻性元件的電流。屬于同一位線的存儲器單元通過覆蓋相變材料的導體連接，并且屬于同一字線的存儲器單元通過雙極晶體管的基極(例如，通過同一字線的所有晶體管共用的基極)連接在一起。

例如，通過測量存儲器單元的位線和字線之間的電阻來訪問相變存儲器的存儲器單元的二進制信息。

實用新型內容

在第一方面，提供了一種集成電路，包括：雙極晶體管行，包括：多個第一導電區域；第二導電區域；和共用基極，位于第一導電區域和第二導電區域之間；絕緣溝槽，與雙極晶體管行中的每個雙極晶體管接觸；導電層，位于絕緣溝槽上，并且位于共用基極上，位于第一導電區域之間；以及間隔件層，位于導電層和第一導電區域之間。

根據一個實施例，導電層包括多晶硅。

根據一個實施例，集成電路還包括金屬層，金屬層位于導電層和共用基極之間。

根據一個實施例，導電層包括金屬。

根據一個實施例，金屬是鈦。

根據一個實施例，雙極晶體管行中的每個雙極晶體管在使用中控制相變存儲器中的相應的存儲器單元。

根據一個實施例，導電層通過單個過孔連接到互連網絡。

根據一個實施例，多個第一導電區域接觸基極，并且基極接觸第二導電區域。

根據一個實施例，雙極晶體管行中的每個雙極晶體管均包括第二導電區域。

根據一個實施例，導電層的至少多個部分覆蓋有絕緣條帶和多晶硅條帶。

在第二方面，提供了一種器件，包括：第一行的晶體管，沿第一方向布置，第一行的晶體管包括：第一導電區域，具有第一摻雜劑類型；共用基極，位于第一導電區域上，共用基極具有第二摻雜劑類型，第二摻雜劑類型與第一摻雜劑類型相反；多個第二導電區域，位于共用基極上，多個第二導電區域具有第一摻雜劑類型，第一行中的每個晶體管均包括相應的第二導電區域；和第一絕緣溝槽，沿第一方向延伸并且與第一行的晶體管中的每個晶體管接觸；導電層，位于第一絕緣溝槽和共用基極上，導電層具有第一部分和多個第二部分，第一部分沿第一方向延伸，多個第二部分沿第二方向從第一部分延伸，第二方向橫向于第一方向，導電層的多個第二部分中的每個第二部分在第二導電區域的鄰近的第二導電區域之間延伸；以及間隔件層，位于導電層和第二導電區域之間。

根據一個實施例，器件還包括金屬層，金屬層位于導電層和共用基極之間，其中導電層包括多晶硅。

根據一個實施例，器件還包括：第二行的晶體管，沿第一方向布置，第二行的晶體管通過絕緣溝槽與第一行的晶體管間隔開。