[實用新型]集成電路和器件

有效

• 申請號: 201920454682.1
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN209843710U
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: P·波伊文;J·J·法戈;E·佩蒂特普瑞茲;E·蘇謝爾;O·韋伯
• 申請（專利權）人: 意法半導體(克洛爾2)公司;意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L21/8222;H01L27/24
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，其特征在于，包括：

雙極晶體管行，包括：

多個第一導電區域；

第二導電區域；和

共用基極，位于所述第一導電區域和所述第二導電區域之間；

絕緣溝槽，與所述雙極晶體管行中的每個雙極晶體管接觸；

導電層，位于所述絕緣溝槽上，并且位于所述共用基極上，位于所述第一導電區域之間；以及

間隔件層，位于所述導電層和所述第一導電區域之間。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述導電層包括多晶硅。

3.根據權利要求2所述的集成電路，其特征在于，還包括金屬層，所述金屬層位于所述導電層和所述共用基極之間。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述導電層包括金屬。

5.根據權利要求4所述的集成電路，其特征在于，所述金屬是鈦。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述雙極晶體管行中的每個雙極晶體管在使用中控制相變存儲器中的相應的存儲器單元。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述導電層通過單個過孔連接到互連網絡。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述多個第一導電區域接觸所述基極，并且所述基極接觸所述第二導電區域。

9.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述雙極晶體管行中的每個所述雙極晶體管均包括所述第二導電區域。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述導電層的至少多個部分覆蓋有絕緣條帶和多晶硅條帶。

11.一種器件，其特征在于，包括：

第一行的晶體管，沿第一方向布置，所述第一行的晶體管包括：

第一導電區域，具有第一摻雜劑類型；

共用基極，位于所述第一導電區域上，所述共用基極具有第二摻雜劑類型，所述第二摻雜劑類型與所述第一摻雜劑類型相反；

多個第二導電區域，位于所述共用基極上，所述多個第二導電區域具有所述第一摻雜劑類型，所述第一行中的每個所述晶體管均包括相應的第二導電區域；和

第一絕緣溝槽，沿所述第一方向延伸并且與所述第一行的晶體管中的每個晶體管接觸；

導電層，位于所述第一絕緣溝槽和所述共用基極上，所述導電層具有第一部分和多個第二部分，所述第一部分沿所述第一方向延伸，所述多個第二部分沿第二方向從所述第一部分延伸，所述第二方向橫向于所述第一方向，所述導電層的所述多個第二部分中的每個第二部分在所述第二導電區域的鄰近的第二導電區域之間延伸；以及

間隔件層，位于所述導電層和所述第二導電區域之間。

12.根據權利要求11所述的器件，其特征在于，還包括金屬層，所述金屬層位于所述導電層和所述共用基極之間，其中所述導電層包括多晶硅。

13.根據權利要求11所述的器件，其特征在于，還包括：

第二行的晶體管，沿所述第一方向布置，所述第二行的晶體管通過所述絕緣溝槽與所述第一行的晶體管間隔開。

14.根據權利要求13所述的器件，其特征在于，還包括：

第二絕緣溝槽，沿所述第一方向延伸并且與所述第二行的晶體管中的每個晶體管接觸，所述第二行的晶體管在所述第一絕緣溝槽和所述第二絕緣溝槽之間。