[實用新型]一種Demux電路的TFT結構

有效

• 申請號: 201920439502.2
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN209880618U
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 35214 福州市博深專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 林志崢

本實用新型公開了一種Demux電路的TFT結構，包括自下而上依次層疊設置的玻璃基板、第一金屬層、半導體層、第一絕緣層和第二金屬層；TFT的柵極設置在所述第二金屬層中，TFT的源極和TFT的漏極分別設置在所述第一金屬層中；所述第一絕緣層的厚度為預設第一值。本實用新型能夠縮小設置Demux電路的區域中TFT結構的尺寸，從而達到縮小Demux電路尺寸的目的。

技術領域

本實用新型涉及TFT技術領域，特別涉及一種Demux電路的TFT結構。

背景技術

復用器(demultiplexer,簡寫Demux)，用于把一個信號通道分解為多個信號通道，在中小尺寸液晶顯示器中被廣泛采用。在液晶顯示器中，DEMUX通常搭配LTPS(低溫多晶硅)制程，LTPS制程制作的TFT(薄膜晶體管)器件電子遷移率高，可以滿足Demux需求。

IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，載流子遷移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，具備更快的面板刷新頻率，可實現超高分辨率TFT-LCD。同時，現有的非晶硅生產線只需稍加改動即可兼容IGZO制程，因此在成本方面較低溫多晶硅(LTPS)更有競爭力。傳統a-Si或IGZO TFT有兩種常見結構：ESL(etch stop layer)和BCE(Back channel etch)，雖然ESL結構相對BCE結構多了一道ES制程，但因為半導體層IGZO溝道區域未受到SD層刻蝕時的損傷，畫素區域TFT電學特性均一性更收斂，是獲得高分辨率、高穩定性IGZO顯示面板的首選。

由于IGZO TFT器件相對低溫多晶硅TFT擁有更優越的Ioff，畫素TFT只需要單柵極就可抑制漏電問題，有更利于TFT器件的小型化，實現超高分辨率TFT基板的制作。但由于氧化物半導體遷移率(10-30cm2/V.s)要小于低溫多晶硅(60-120cm2/V.s)，因此，在外圍驅動設計上，為滿足實際電路驅動需求，往往氧化物半導體TFT設計尺寸需大于低溫多晶硅TFT，而現有的TFT結構一般包括自下而上依次層疊設置的玻璃基板、絕緣層、第一金屬層、半導體層、第一絕緣層和第二金屬層，且在第一絕緣層設有通孔，第二金屬層穿過通孔與半導體層連接，TFT的柵極設置在第一金屬層，TFF的源極和漏極設置在上方的第二金屬層中，其TFF的整體尺寸較大，導致液晶面板外圍空間需求較大，邊框尺寸受限。

現階段隨著市場LCD顯示屏窄邊框需求趨勢明顯，且低成本、高分辨率IGZO面板備受矚目；隨著分辨率的提升，source信號線數量增多，下邊框斜配線區域占用空間大，且ICPIN數據增多，不利于下邊框縮小及IC尺寸減小，導致大板利用率低及IC成本高。因此，具有Demux電路的FHD及以上分辨率IGZO產品為現階段IGZO面板開發的熱點；由于IGZO半導體的電子遷移率約10-30cm2/V.s，Demux電路中TFT尺寸較低溫多晶硅要來得大，因此如何縮小Demux電路尺寸成為技術關鍵。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是：提供一種Demux電路的TFT結構，能夠縮小Demux電路尺寸。

為了解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案為：

一種Demux電路的TFT結構，包括自下而上依次層疊設置的玻璃基板、第一金屬層、半導體層、第一絕緣層和第二金屬層；TFT的柵極設置在所述第二金屬層中，TFT的源極和TFT的漏極分別設置在所述第一金屬層中；所述第一絕緣層的厚度為預設第一值。

本實用新型的有益效果在于：