[實用新型]一種Demux電路的TFT結構

有效

• 申請號: 201920439502.2
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN209880618U
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 35214 福州市博深專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 林志崢

1.一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，包括自下而上依次層疊設置的玻璃基板、第一金屬層、半導體層、第一絕緣層和第二金屬層；TFT的柵極設置在所述第二金屬層中，TFT的源極和TFT的漏極分別設置在所述第一金屬層中；所述第一絕緣層的厚度為預設第一值。

2.根據權利要求1所述的一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，所述第一金屬層上表面的中間位置設有第一通孔，所述第一通孔將第一金屬層分隔成第一子金屬層和第二子金屬層；

所述半導體層各處的厚度相等；所述半導體層下表面分別與第一子金屬層上表面、預設的第一側壁、玻璃基板的上表面、預設的第二側壁以及第二子金屬層的上表面接觸；所述第一側壁為第一通孔與第一子金屬層連接的側壁，所述第二側壁為第一通孔與第二子金屬層連接的側壁。

3.根據權利要求2所述的一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，所述TFT的源極設置在第一子金屬層中，所述TFT的漏極設置在第二子金屬層中。

4.根據權利要求2所述的一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，所述TFT的漏極設置在第一子金屬層中，所述TFT的源極設置在第二子金屬層中。

5.根據權利要求2所述的一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，所述第一絕緣層各處的厚度相等；所述第一絕緣層位于所述第一通孔正上方對應位置處設有所述第二金屬層。

6.根據權利要求5所述的一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層下表面分別與第二金屬層的上表面和第一絕緣層的上表面連接。

7.根據權利要求2所述的一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，所述第一子金屬層上遠離第二子金屬的一側設有貫穿第一子金屬層的第二通孔；

所述半導體層遠離第二子金屬的一側設有貫穿半導體層的第三通孔；所述第二通孔和第三通孔相互連通并形成第一容納腔；

所述第二子金屬層上遠離第一子金屬的一側設有貫穿第二子金屬層的第四通孔；

所述半導體層遠離第一子金屬的一側設有貫穿半導體層的第五通孔；所述第四通孔和第五通孔相互連通并形成第二容納腔；

所述第一容納室和第二容納腔上分別設有預設的第三絕緣層，位于第一容納室上的所述第三絕緣層分別與玻璃基板、第一絕緣層、半導體層和第一子金屬層接觸；位于第二容納室上的所述第三絕緣層分別與玻璃基板、第一絕緣層、半導體層和第二子金屬層接觸。

8.根據權利要求1所述的一種Demux電路的TFT結構，其特征在于，還包括第三絕緣層；

所述玻璃基板上設有第三子金屬層，所述第三子金屬層與第一金屬層的厚度相等；

所述第一金屬層上表面的中間位置設有第一通孔，所述第一通孔將第一金屬層分隔成第一子金屬層和第二子金屬層；所述第三子金屬層與第一子金屬層具有間隙；

所述第三絕緣層各處的厚度相等，所述第三絕緣層的下表面分別與第三子金屬層、位于所述間隙正下方的玻璃基板的區域、第一子金屬層上表面、位于所述第一通孔正下方的玻璃基板的區域和第二子金屬層上表面相連接；

所述第三絕緣層位于第一子金屬層上方的對應位置處和位于第二子金屬層上方對應的位置處分別設有第六通孔和第七通孔；

所述半導體層一端穿過所述第六通孔與第一金屬層上表面連接，所述半導體層另一端穿過所述第七通孔與第二金屬層上表面連接；

所述第三絕緣層位于所述第三子金屬層正上方位置處設有第一半導體層；

所述第一絕緣層遠離第二子金屬層的一側設有向第三子金屬層方向延伸的延伸端，所述延伸端下表面與所述第一半導體層上表面連接；所述延伸端位于所述第三子金屬層上方位置處設有第三金屬層。