[實(shí)用新型]半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920439261.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210015847U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳秉桓 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/768 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司: | 11438 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 介質(zhì)層 上表面 互連結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體 下表面 導(dǎo)電材料填充 增強(qiáng)結(jié)構(gòu) 電阻 鍵合 制程 | ||
1.一種半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),上表面為第一介質(zhì)層,所述第一介質(zhì)層包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),鍵合于所述第一介質(zhì)層,上表面為第二介質(zhì)層;
第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu),位于所述第二介質(zhì)層;
第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu),位于所述第二介質(zhì)層的上表面;
第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu),下表面連接于所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu),上表面連接于所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu),經(jīng)過(guò)所述第一介質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),下表面連接于所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu),上表面連接于所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
其中,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過(guò)同一次導(dǎo)電材料填充制程形成。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程包括:
通過(guò)第一光刻制程在所述第二介質(zhì)層上蝕刻導(dǎo)線溝槽;
通過(guò)第二光刻制程在所述導(dǎo)線溝槽的下表面蝕刻第一垂直通孔,使所述第一垂直通孔經(jīng)過(guò)所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第一介質(zhì)層,底部露出所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
通過(guò)第三光刻制程在所述導(dǎo)線溝槽的下表面蝕刻第二垂直通孔,使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
一次性填充導(dǎo)電材料至所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔和所述導(dǎo)線溝槽,以一次性形成所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程包括:
通過(guò)第一光刻制程在所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第一介質(zhì)層中蝕刻第一垂直通孔,使所述垂直通孔的底部露出所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
通過(guò)第二光刻制程在所述第二介質(zhì)層上蝕刻導(dǎo)線溝槽;
通過(guò)第三光刻制程在所述導(dǎo)線溝槽的下表面蝕刻第二垂直通孔,使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
一次性填充導(dǎo)電材料至所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔和所述導(dǎo)線溝槽,以一次性形成所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程包括:
通過(guò)第一光刻制程在所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第一介質(zhì)層中蝕刻第一垂直通孔,使所述垂直通孔的底部露出所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
通過(guò)第二光刻制程在所述第二介質(zhì)層中蝕刻第二垂直通孔,使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
通過(guò)第三光刻制程在所述第二介質(zhì)層上蝕刻連通所述第一垂直通孔和所述第二垂直通孔的導(dǎo)線溝槽;
一次性填充導(dǎo)電材料至所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔和所述導(dǎo)線溝槽,以一次性形成所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第五導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求2、3、4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一垂直通孔與所述導(dǎo)線溝槽的連接處包括第一倒角和第二倒角。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為焊盤(pán)或?qū)Ь€,所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為焊盤(pán)或?qū)Ь€,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)線。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括交替層疊的多個(gè)介質(zhì)層與多層晶圓。
8.如權(quán)利要求1或7所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括交替層疊的多個(gè)介質(zhì)層與多層晶圓。
9.如權(quán)利要求2、3、4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二垂直通孔與所述導(dǎo)線溝槽的連接處包括第一倒角和第二倒角。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材質(zhì)相同。
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- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
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- 使用編織結(jié)構(gòu)導(dǎo)電板的導(dǎo)電排結(jié)構(gòu)
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