[實用新型]一種MWT激光打孔臺面有效
| 申請號: | 201920419132.6 | 申請日: | 2019-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN209880575U | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發明(設計)人: | 黃智;周平平;徐建華;沈洪飛;路忠林;吳仕梁;李質磊;張鳳鳴 | 申請(專利權)人: | 無錫日托光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18;H01L31/0224;B23K26/382 |
| 代理公司: | 32237 江蘇圣典律師事務所 | 代理人: | 賀翔 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 臺面 實心區 臺面本體 鏤空區 硅片 有效降低制程 本實用新型 打孔工藝 打孔過程 打孔臺面 打孔位置 激光打孔 真空氣孔 鏤空區域 打孔 激光孔 碎片率 隱裂 粉塵 改造 | ||
本實用新型提供一種MWT激光打孔臺面,所述打孔臺面包括臺面本體,所述臺面本體上分為實心區及鏤空區,所述鏤空區分布在激光孔的打孔位置處,所述實心區分布在所述鏤空區域內的非打孔處,且在所述實心區上分布有真空氣孔。在打孔工藝方面,先對臺面進行改造,再實施打孔過程,大大降低了硅片與臺面接觸面積,有效降低粉塵對硅片的影響,從而能有效降低制程碎片率及隱裂。
技術領域
本實用新型涉及硅太陽能電池工藝技術領域,具體涉及到MWT硅太陽能電池制程的原輔料或耗材設計。
背景技術
目前,晶體硅太陽能技術包括異質結太陽能電池HIT,背電極接觸硅太陽能電池IBC,發射極環繞穿通硅太陽能電池EWT,激光刻槽埋柵電池,傾斜蒸發金屬接觸硅太陽能電池OECO及金屬穿孔卷繞硅太陽能電池MWT等。其中,MWT電池因其效率高,遮光面積小以及更好的外觀特點受到越來越多的關注。
MWT硅太陽能電池是通過激光鉆孔將正面柵線收集的載流子穿過電池轉移至電池背面,以減少遮光面積來達到提高轉換效率的目的。由此,為實現MWT電池結構,需要在常規電池結構中加入打孔和孔洞導通兩個功能。其中,打孔目前往往采用激光打孔的方式實現;孔洞導通往往采用絲網印刷填孔漿料,然后與正面電極和鋁背場共燒結實現。如專利CN201410016190.6提供了一種低成本的MWT電池制備方法,該方法在傳統晶硅電池的制作流程上僅增加兩道工序實現MWT電池結構,由于該方法工藝簡單,設備投產少,已成為業內目前MWT電池唯一量產工藝。
在MWT電池制程中,激光打孔是第一個工序,也區別于常規電池的主要且關鍵工序,其目的是通過激光在硅片上制備一定數量及排布的孔洞,如圖1所示的 6×6激光打孔點陣。其中,激光打孔工序所涉及的臺面面板見圖2,除吸附硅片所需的真空孔外,如圖2所示,臺面上在MWT電池打孔點陣對應位置需設定鏤空的區域,如圖2所示。在打孔過程中會產生硅殘渣粉塵,隨著產能提升,硅片厚度降低,粉塵對制程碎片率的影響逐漸突出。如何降低激光打孔對產線指標、降本提效的影響顯得尤為重要。
實用新型內容
本實用新型針對上述問題的不足,提出一種MWT激光打孔降低隱裂且適合薄片生產的方法及裝置。
本實用新型提供技術方案如下:一種MWT激光打孔臺面,所述打孔臺面包括臺面本體,所述臺面本體上分為實心區及鏤空區,所述鏤空區分布在激光孔的打孔位置處,所述實心區分布在所述鏤空區域內的非打孔處,且在所述實心區上分布有真空氣孔。
進一步的,所述激光孔呈矩陣狀均勻分布于所述臺面本體上,并且在全部激光孔整體外部邊緣為實心區,所述實心區在打孔位置外形成一個閉合曲線;在所述激光孔整體的內部,也有實心區,所述實心區將全部激光孔劃分為若干部分,激光孔內部的實心區與外部邊緣的實心區相連同。
進一步的,所述實心區呈“田”字型分布于所述臺面本體上。
進一步的,在所述打孔臺面的下方為臺面底座,所述臺面底座中安裝有真空氣路,所述真空氣路與所述實心區相對應,真空氣孔分布于真空氣路中,滿足制程過程中所需的硅片吸附要求。
作為一種優選,所述實心區中均勻分布有42個真空氣孔。
基于上述一種MWT激光打孔臺面,本實用新型還提供激光打孔工藝,在對MWT太陽能電池片打孔前,先將MWT激光打孔工序涉及的臺面面板進行大幅鏤空處理,將臺面加工為分為實心區和鏤空區;將鏤空區加工為打孔工藝的工作區,在實心區加工出真空氣孔,并且,在臺面下方實心區對應位置處,安裝真空氣路。
進一步的,所述激光孔呈矩陣狀均勻分布于所述臺面本體上,并且在全部激光孔整體外部邊緣為實心區,所述實心區在打孔位置外形成一個閉合曲線;在所述激光孔整體的內部,也有實心區,所述實心區將全部激光孔劃分為若干部分,激光孔內部的實心區與外部邊緣的實心區相連同。
作為一種優選,所述實心區呈“田”字型分布于所述臺面本體上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





