[實用新型]一種MWT激光打孔臺面有效
| 申請號: | 201920419132.6 | 申請日: | 2019-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN209880575U | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發明(設計)人: | 黃智;周平平;徐建華;沈洪飛;路忠林;吳仕梁;李質磊;張鳳鳴 | 申請(專利權)人: | 無錫日托光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18;H01L31/0224;B23K26/382 |
| 代理公司: | 32237 江蘇圣典律師事務所 | 代理人: | 賀翔 |
| 地址: | 214028 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 臺面 實心區 臺面本體 鏤空區 硅片 有效降低制程 本實用新型 打孔工藝 打孔過程 打孔臺面 打孔位置 激光打孔 真空氣孔 鏤空區域 打孔 激光孔 碎片率 隱裂 粉塵 改造 | ||
1.一種MWT激光打孔臺面,其特征在于,所述打孔臺面包括臺面本體,所述臺面本體上分為實心區及鏤空區,所述鏤空區分布在激光孔的打孔位置處,所述實心區分布在所述鏤空區域內的非打孔處,且在所述實心區上分布有真空氣孔。
2.根據權利要求1所述的一種MWT激光打孔臺面,其特征在于,所述激光孔呈矩陣狀均勻分布于所述臺面本體上,并且在全部激光孔整體外部邊緣為實心區,所述實心區在打孔位置外形成一個閉合曲線;在所述激光孔整體的內部,也有實心區,所述實心區將全部激光孔劃分為若干部分,激光孔內部的實心區與外部邊緣的實心區相連同。
3.根據權利要求1所述的一種MWT激光打孔臺面,其特征在于,所述實心區呈“田”字型分布于所述臺面本體上。
4.根據權利要求1所述的一種MWT激光打孔臺面,其特征在于,在所述打孔臺面的下方為臺面底座,所述臺面底座中安裝有真空氣路,所述真空氣路與所述實心區相對應,真空氣孔分布于真空氣路中,滿足制程過程中所需的硅片吸附要求。
5.根據權利要求1所述的一種MWT激光打孔臺面,其特征在于,所述實心區中均勻分布有42個真空氣孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





