[實用新型]一種新型可控硅

有效

• 申請號: 201920379728.8
• 申請日: 2019-03-25
• 公開（公告）號: CN209461458U
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 董樹榮;沈宏宇;徐澤坤;郭維
• 申請（專利權）人: 浙江大學昆山創新中心
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;俞翠華

1.一種新型可控硅，其特征在于，包括：襯底，所述襯底上沿其長度方向設置有N阱和P阱；

所述N阱上沿襯底的寬度方向依次設置有第一P+注入區和第一N+注入區；

所述P阱上沿襯底的寬度方向依次設置有第二P+注入區和第二N+注入區；

所述第一P+注入區和第二N+注入區分別接入陽極和陰極，所述第一N+注入區和第二P+注入區通過金屬線相連；

所述第一P+注入區、第一N+注入區、第二P+注入區、第二N+注入區之間均通過第一隔離槽分隔開；所述第一P+注入區和第一N+注入區與N阱的邊緣之間通過第二隔離槽分隔開，所述第二P+注入區和第二N+注入區與P阱的邊緣之間通過第三隔離槽分隔開。

2.根據權利要求1所述的一種新型可控硅，其特征在于：所述襯底為P型襯底。

3.根據權利要求1所述的一種新型可控硅，其特征在于：所述第一P+注入區、第一N+注入區、第二P+注入區和第二N+注入區的橫截面尺寸均相等。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的一種新型可控硅，其特征在于：所述第一隔離槽包括第一隔離子槽、第二隔離子槽和第三隔離子槽；

所述第一隔離子槽設于所述第一P+注入區和第一N+注入區與第二P+注入區和第二N+注入區之間，將所述第一P+注入區和第一N+注入區與第二P+注入區和第二N+注入區分隔開；

所述第二隔離子槽將第一P+注入區和第一N+注入區分隔開；

所述第三隔離子槽將第二P+注入區和第二N+注入區分隔開。

5.根據權利要求4所述的一種新型可控硅，其特征在于：所述第二隔離子槽和第三隔離子槽均沿著襯底的長度方向延伸，且二者位于同一直線上。

6.根據權利要求4所述的一種新型可控硅，其特征在于：所述第二隔離子槽和第三隔離子槽均垂直于所述第一隔離子槽。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的一種新型可控硅，其特征在于：所述第二隔離槽與第三隔離槽相對設置，分別位于N阱和P阱上相對的邊緣處，二者均沿著襯底的寬度方向延伸。

8.根據權利要求1所述的一種新型可控硅，其特征在于：當發生靜電放電時，由第一P+注入區、N阱，以及第一N+注入區、第二P+注入區、P阱、第二N+注入區構成的二極管串結構首先導通，電流由第一P+注入區流入N阱，再由N阱流進第一N+注入區，再經由金屬導線，電流從第一N+注入區流至第二P+注入區，再由第二P+注入區流入P阱，最后由P阱流至第二N+注入區，隨著器件結構內部電流逐漸增大，N阱和P阱發生雪崩擊穿，由第一P+注入區、N阱、P阱、第二N+注入區形成的PNPN可控硅路徑就會開啟，泄放大部分電流。