[實用新型]一種用于黑硅制備的反應裝置有效
| 申請號: | 201920367627.9 | 申請日: | 2019-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN209592066U | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 何其金;張靖;何飛;沈鴻烈 | 申請(專利權)人: | 江蘇德潤光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 艾秀麗 |
| 地址: | 225600 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應桶 離子氣流 黑硅 反應裝置 制備 螺旋槽 三通閥 硅片 直流脈沖電源 本實用新型 復合分子泵 氣體流動性 工業設備 硅片加工 生產效率 負極 進氣管 收集箱 輸入管 循環管 底壁 位塊 流動 加工 離子 轉動 通電 | ||
本實用新型涉及工業設備技術領域,且公開了一種用于黑硅制備的反應裝置,包括反應桶,所述反應桶桶內的底壁上固定連接有限位塊。該用于黑硅制備的反應裝置,通過進氣管將離子充入反應桶中,通過直流脈沖電源使得位于反應臺上方的待加工的硅片呈現負極,通過將復合分子泵通電,使得反應桶內部的離子氣流通過輸入管、三通閥、循環管再次進入反應桶內部,從而使得離子氣流流動起來,且通過第一螺旋槽和第二螺旋槽使得進入反應桶的離子氣流呈現螺旋的方式流動,增加了氣體流動性的同時增加了與硅片的接觸,增加了黑硅的生產效率,待硅片加工完成后,轉動三通閥使得離子氣流進入收集箱中為下次加工做準備,降低了資源的浪費。
技術領域
本實用新型涉及工業設備技術領域,具體為一種用于黑硅制備的反應裝置。
背景技術
黑硅是最新研究發現的一種能大幅提高光電轉換效率的新型電子材料,這種黑硅材料能夠捕捉幾乎全部日光,它就像一塊吸收光的海綿,可見光和紅外線都能吸收,這種材料能夠提高光的使用效率,產生的電流是傳統硅材料的幾百倍,此外黑硅還可以減少光傳感器的硅使用量,使產品更加便宜、小巧和輕便。
市面上黑硅的最佳制取方法是等離子體浸沒離子注入法,使用這種方法制備出來的黑硅有著很低的反射率,適用于所有單晶硅,但是市面上這種制備方法所需要的設備卻有著制備效率低下和資源浪費的缺點,故此提出一種用于黑硅制備的反應裝置來解決上述所提出的問題。
實用新型內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本實用新型提供了一種用于黑硅制備的反應裝置,具備制備效率高等優點,解決了制備效率低下的問題。
(二)技術方案
為實現上述制備效率高的目的,本實用新型提供如下技術方案:一種用于黑硅制備的反應裝置,包括反應桶,所述反應桶桶內的底壁上固定連接有限位塊,反應桶桶內底壁上活動連接有與限位塊相接觸的分隔筒,分隔筒的左右兩側均開設有數量為五個的通氣孔,分隔筒筒內側壁開設有第一螺旋槽,所述反應桶桶內底壁上固定連接有位于分隔筒內部的支撐桿,支撐桿的頂部固定連接有反應臺,反應臺的底部固定連接有穿過支撐桿且延伸至反應桶前側的連接線,連接線的前側固定連接有直流脈沖電源,反應桶的右側固定連接有放置板,放置板的頂部固定連接有復合分子泵,復合分子泵的輸入口固定連接有延伸至反應桶內部的輸入管,復合分子泵輸出口處固定連接有三通閥,三通閥的前側固定連接有連接管,連接管的底部固定連接有與反應桶相接觸的收集箱,所述三通閥的右側固定連接有延伸至反應桶內部的循環管,反應桶的左側固定連接有延伸至反應桶內部的進氣管,反應桶的左側固定連接有位于進氣管下方的氣壓表,反應桶桶內頂壁固定連接有延伸至反應桶外部的連接筒,連接筒的外部套接有與反應桶相接觸的頂蓋,頂蓋的底部固定連接有延伸至連接筒內部的擋塊,擋塊的外部套接有與連接筒相接觸的第一密封圈,連接筒的外部套接有與頂蓋和反應桶相接觸的第二密封圈,反應桶桶內側壁開設有第二螺紋槽。
優選的,所述限位塊為中空圓環塊,限位塊的內徑等于分隔筒的外徑,限位塊的外徑小于反應桶的內徑。
優選的,所述通氣孔共有十個,十個所述通氣孔分成兩組,一組五個所述通氣孔呈等距分布,左側所述通氣孔與右側所述通氣孔呈錯位分布。
優選的,所述收集箱為矩形箱,收集箱位于放置板的下方。
優選的,所述擋塊為圓柱塊,擋塊的直徑小于連接筒的內徑。
優選的,所述第一螺旋槽和第二螺旋槽的方向相同,第一密封圈和第二密封圈均為真空密封圈。
(三)有益效果
與現有技術相比,本實用新型提供了一種用于黑硅制備的反應裝置,具備以下有益效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





