[實用新型]一種功率MOSFET場效應晶體管有效
| 申請號： | 201920365999.8 | 申請日： | 2019-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN209785944U | 公開（公告）日： | 2019-12-13 |
| 發明（設計）人： | 許勝 | 申請（專利權）人： | 深圳淇諾科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 44439 深圳市道勤知酷知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 何兵;饒盛添 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區華強北*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漏極 晶圓 場效應晶體管 功率MOSFET 塑封層 本實用新型 漏極接觸部 柵極接觸 倒置 延伸部 朝外 源極 源極接觸部 方向延伸 覆蓋 穿透 改造 | ||
1.一種功率MOSFET場效應晶體管，設有柵極、源極和漏極，其特征在于，包括：
晶圓層，所述晶圓層的一面設有所述柵極和所述漏極，所述柵極設有朝外的柵極接觸部，所述漏極具有朝外的漏極接觸部；
塑封層，覆蓋在所述晶圓層背向所述漏極的一面，所述源極設有背向所述漏極方向延伸穿透所述塑封層的延伸部，所述延伸部背向所述漏極接觸部的一面設有源極接觸部；
所述漏極覆蓋在所述晶圓層背向所述塑封層的一面，所述漏極和所述晶圓層具有一連通所述柵極接觸部的凹槽。
2.根據權利要求1所述的一種功率MOSFET場效應晶體管，其特征在于，所述柵極和所述源極通過絕緣體成組相連，不同組的所述柵極和所述源極具有間隔。
3.根據權利要求2所述的一種功率MOSFET場效應晶體管，其特征在于，所述成組相連的所述柵極和所述源極為兩組。
4.根據權利要求1所述的一種功率MOSFET場效應晶體管，其特征在于，所述源極接觸部連接所述塑封層背向所述漏極的一面，并形成平滑平面。
5.根據權利要求1所述的一種功率MOSFET場效應晶體管，其特征在于，所述塑封層為晶圓級塑封層。
6.根據權利要求1所述的一種功率MOSFET場效應晶體管，其特征在于，所述延伸部為導電金屬。
7.根據權利要求6所述的一種功率MOSFET場效應晶體管，其特征在于，所述延伸部為錫球或銅柱。
8.根據權利要求1所述的一種功率MOSFET場效應晶體管，其特征在于，所述晶圓層和所述塑封層連接其平行所述源極延伸方向的截面呈矩形。
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