[實(shí)用新型]一種功率MOSFET場效應(yīng)晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920365999.8
• 申請日: 2019-03-21
• 公開（公告）號: CN209785944U
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許勝
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳淇諾科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 44439 深圳市道勤知酷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 何兵;饒盛添

本實(shí)用新型涉及一種功率MOSFET場效應(yīng)晶體管，設(shè)有柵極、源極和漏極，包括：晶圓層，所述晶圓層的一面設(shè)有所述柵極和所述漏極，所述柵極設(shè)有朝外的柵極接觸部，所述漏極具有朝外的漏極接觸部；塑封層，覆蓋在所述晶圓層背向所述漏極的一面，所述源極設(shè)有背向所述漏極方向延伸穿透所述塑封層的延伸部，所述延伸部背向所述漏極接觸部的一面設(shè)有源極接觸部；所述漏極覆蓋在所述晶圓層背向所述塑封層的一面，所述漏極和所述晶圓層具有一連通所述柵極接觸部的凹槽。本實(shí)用新型涉及的一種功率MOSFET場效應(yīng)晶體管具有方便現(xiàn)有的非倒置柵極的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管倒置柵極改造的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率MOSFET場效應(yīng)晶體管。

背景技術(shù)

功率MOSFET場效應(yīng)晶體管(也稱功率MOS場效應(yīng)晶體管)是一種金屬- 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。

功率MOSFET場效應(yīng)晶體管一般包括有源極、柵極和漏極，柵極也稱門極，源極也稱場效應(yīng)管，漏極也稱場效應(yīng)晶體管。

請參見圖1，現(xiàn)有的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管都是源極接觸部和柵極接觸部在同一側(cè)，漏極接觸部在相對的另一側(cè)。但是這種設(shè)置在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)并不能適應(yīng)所有場合，在某些希望漏極接觸部和柵極接觸部在同一側(cè)的應(yīng)用時(shí)非常的不方便。但是重新開發(fā)設(shè)計(jì)制造一種全新倒置柵極的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管成本巨大。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述狀況，有必要提供一種方便現(xiàn)有的非倒置柵極的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管倒置柵極改造的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：一種功率 MOSFET場效應(yīng)晶體管，設(shè)有柵極、源極和漏極，包括：晶圓層，所述晶圓層的一面設(shè)有所述柵極和所述漏極，所述柵極設(shè)有朝外的柵極接觸部，所述漏極具有朝外的漏極接觸部；塑封層，覆蓋在所述晶圓層背向所述漏極的一面，所述源極設(shè)有背向所述漏極方向延伸穿透所述塑封層的延伸部，所述延伸部背向所述漏極接觸部的一面設(shè)有源極接觸部；所述漏極覆蓋在所述晶圓層背向所述塑封層的一面，所述漏極和所述晶圓層具有一連通所述柵極接觸部的凹槽。

進(jìn)一步的，所述柵極和所述源極通過絕緣體成組相連，不同組的所述柵極和所述源極具有間隔。

進(jìn)一步的，所述成組相連的所述柵極和所述源極為兩組。

進(jìn)一步的，所述源極接觸部連接所述塑封層背向所述漏極的一面，并形成平滑平面。

進(jìn)一步的，所述塑封層為晶圓級塑封層。

進(jìn)一步的，所述延伸部為導(dǎo)電金屬。

進(jìn)一步的，所述延伸部為錫球或銅柱。

進(jìn)一步的，所述晶圓層和所述塑封層連接其平行所述源極延伸方向的截面呈矩形。

本實(shí)用新型的有益效果在于：漏極和柵極位于同一側(cè)，滿足某些場合的需要；漏極直接覆蓋在晶圓層上，加工改造方便，接觸面大；設(shè)置連通柵極接觸部的凹槽，方便將現(xiàn)有的源極接觸部和柵極接觸部在同一側(cè)的現(xiàn)有的非倒置柵極的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管改造成柵極接觸部和漏極接觸部在同一側(cè)；并且設(shè)置了塑封層，一方面對源極和晶圓層進(jìn)行保護(hù)，隔離柵極，另一方面本實(shí)用新型的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管可以由源極和柵極在同一側(cè)的現(xiàn)有的非倒置柵極的功率MOSFET場效應(yīng)晶體管經(jīng)過塑封等改造形成，節(jié)省了成本；本實(shí)用新型的一種功率MOSFET場效應(yīng)晶體管方便現(xiàn)有的非倒置柵極的功率 MOSFET場效應(yīng)晶體管進(jìn)行倒置柵極改造。

附圖說明