[實用新型]半導(dǎo)體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920338723.0
• 申請日: 2019-03-15
• 公開（公告）號: CN209561410U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎子蘭;李成果;張樹昕
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 郭俊霞

本實用新型提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制作方法，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光單元是基于氮化物成核層選區(qū)生長得到，相鄰的發(fā)光單元之間相互分隔，不需要再使用刻蝕或切割等工藝分割發(fā)光單元，簡化了制作工藝流程，并且抑制了刻蝕或切割器件表面形成的非輻射復(fù)合中心。進(jìn)一步地，通過對P型電極層和N型電極層的不同連接方式的制作，可以形成交流發(fā)光器件或高壓發(fā)光器件，得到交流LED或者高壓LED。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)是一種常用的發(fā)光器件，常規(guī)的LED是一個低電壓的直流器件，在使用市電或其他較高電壓的電源來驅(qū)動LED的時候，需要復(fù)雜的驅(qū)動電路來把電源的電壓轉(zhuǎn)化為LED所需的低壓、直流電源，這顯著地增加了系統(tǒng)的成本，不利于LED的推廣使用。很多廠家開發(fā)出了交流LED器件或高壓LED芯片或模塊來解決這個問題。這些交流LED可以直接被交流的市電驅(qū)動，如果使用高壓LED也可以顯著降低從市電到LED電壓所需驅(qū)動電路的復(fù)雜度，極大的降低了LED的使用成本。

現(xiàn)有的交流LED或高壓LED主要通過將多個LED串聯(lián)或串并聯(lián)結(jié)合的方式來實現(xiàn)。所用的LED為分立器件，或通過單片集成的方式，在同一襯底上制作相互分離的LED器件。對于單片集成方案，為了實現(xiàn)每個LED發(fā)光單元之間的隔離，需要通過刻蝕、切割等辦法把每個LED外延結(jié)構(gòu)分割開來，這極大的增大了工藝的復(fù)雜度。同時，被刻蝕或切割的表面有較多的非輻射復(fù)合中心，所獲得的LED單元的光效被顯著降低。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。

本實用新型提供的技術(shù)方案如下：

一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

襯底；

位于所述襯底一側(cè)的第一絕緣層和氮化物成核層；

以所述氮化物成核層為成核中心制作的多個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括電子傳輸層、輻射復(fù)合層、空穴傳輸層、P型電極層和N型電極層，其中：

所述電子傳輸層以所述氮化物成核層為成核中心生長氮化物材料制作形成；

所述輻射復(fù)合層覆蓋所述電子傳輸層的表面；

所述空穴傳輸層覆蓋所述輻射復(fù)合層的表面；

所述P型電極層覆蓋所述空穴傳輸層的表面，相鄰的發(fā)光單元的P型電極層相連接或相互絕緣；

所述N型電極層與所述電子傳輸層相連接；

相鄰的兩個發(fā)光單元的P型電極層相連接或者相絕緣，且其中一個發(fā)光單元的N型電極層與相鄰的另一發(fā)光單元的P型電極層或N型電極層連接，同一個發(fā)光單元的P型電極層和N型電極層相絕緣。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光單元之間的P型電極層和N型電極層設(shè)置的結(jié)構(gòu)包括：

當(dāng)所述發(fā)光單元的P型電極層與相鄰的發(fā)光單元的P型電極層相連接時，該發(fā)光單元的N型電極層與相鄰發(fā)光單元的N型電極層連接；當(dāng)所述發(fā)光單元的P型電極層與相鄰的發(fā)光單元的P型電極層相絕緣時，該發(fā)光單元的N型電極層與相鄰發(fā)光單元的P型電極層連接。

進(jìn)一步地，所述N型電極層與所述電子傳輸層連接的一端，同所述輻射復(fù)合層、空穴傳輸層、P型電極層相絕緣。

進(jìn)一步地，所述第一絕緣層位于所述襯底一側(cè)，所述第一絕緣層上開設(shè)有用于容納所述氮化物成核層的凹槽，所述氮化物成核層位于所述凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述氮化物成核層位于所述襯底一側(cè)，所述第一絕緣層位于所述氮化物成核層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)，所述第一絕緣層上開設(shè)有暴露所述氮化物成核層的凹槽，所述電子傳輸層以所述凹槽內(nèi)暴露的氮化物成核層為成核中心制作。