[實用新型]半導(dǎo)體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920338723.0
• 申請日: 2019-03-15
• 公開（公告）號: CN209561410U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎子蘭;李成果;張樹昕
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 郭俊霞

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底一側(cè)的第一絕緣層和氮化物成核層；

以所述氮化物成核層為成核中心制作的多個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括電子傳輸層、輻射復(fù)合層、空穴傳輸層、P型電極層和N型電極層，其中：

所述電子傳輸層以所述氮化物成核層為成核中心生長氮化物材料制作形成；

所述輻射復(fù)合層覆蓋所述電子傳輸層的表面；

所述空穴傳輸層覆蓋所述輻射復(fù)合層的表面；

所述P型電極層覆蓋所述空穴傳輸層的表面，相鄰的發(fā)光單元的P型電極層相連接或相互絕緣；

所述N型電極層與所述電子傳輸層相連接；

相鄰的兩個發(fā)光單元的P型電極層相連接或者相絕緣，且其中一個發(fā)光單元的N型電極層與相鄰的另一發(fā)光單元的P型電極層或N型電極層連接，同一個發(fā)光單元的P型電極層和N型電極層相絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光單元之間的P型電極層和N型電極層設(shè)置的結(jié)構(gòu)包括：

當所述發(fā)光單元的P型電極層與相鄰的發(fā)光單元的P型電極層相連接時，該發(fā)光單元的N型電極層與相鄰發(fā)光單元的N型電極層連接；當所述發(fā)光單元的P型電極層與相鄰的發(fā)光單元的P型電極層相絕緣時，該發(fā)光單元的N型電極層與相鄰發(fā)光單元的P型電極層連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述N型電極層與所述電子傳輸層連接的一端，同所述輻射復(fù)合層、空穴傳輸層、P型電極層相絕緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述第一絕緣層位于所述襯底一側(cè)，所述第一絕緣層上開設(shè)有用于容納所述氮化物成核層的凹槽，所述氮化物成核層位于所述凹槽內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述氮化物成核層位于所述襯底一側(cè)，所述第一絕緣層位于所述氮化物成核層遠離所述襯底一側(cè)，所述第一絕緣層上開設(shè)有暴露所述氮化物成核層的凹槽，所述電子傳輸層以所述凹槽內(nèi)暴露的氮化物成核層為成核中心制作。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述P型電極層與所述N型電極層之間制作有第二絕緣層，所述N型電極層依次貫穿所述第二絕緣層、P型電極層、空穴傳輸層、輻射復(fù)合層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，當所述發(fā)光單元的P型電極層與相鄰的發(fā)光單元的P型電極層相絕緣時，所述發(fā)光單元的P型電極層與相鄰的發(fā)光單元的P型電極層通過所述第二絕緣層相絕緣。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底為硅襯底或藍寶石襯底。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述第一絕緣層為二氧化硅或氮化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述氮化物成核層為GaN、AlGaN、InGaN或AlN。