[實用新型]IDF型引線框架結構及IDF型引線框架組件

有效

• 申請號: 201920318914.0
• 申請日: 2019-03-11
• 公開（公告）號: CN209515655U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 施錦源;劉興波;宋波;唐海波
• 申請（專利權）人: 深圳市信展通電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/367
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 譚雪婷;謝亮

本實用新型適用于半導體封裝技術領域，提供了一種IDF型引線框架結構及IDF型引線框架組件，IDF型引線框架結構包括上安裝單元組以及下安裝單元組，上安裝單元組包括多個并排設置的上安裝單元，下安裝單元組包括多個并排設置的下安裝單元，每個上安裝單元的上引腳插入下安裝單元的下引腳的間隙中，上散熱板以及下散熱板中均設有定位孔。該IDF型引線框架結構，將整體框架設計成兩排，每個上安裝單元的上引腳插入下安裝單元的下引腳的間隙中，進而形成IDF矩陣結構，進而可增加單位面積的安裝單元的數量，提高了引線框材料利用率，可降低生產成本，整體體積較小，可相對降低電子產品的體積，滿足市面上電子產品的小體積需求。

技術領域

本實用新型屬于半導體封裝技術領域，具體涉及到一種IDF型引線框架結構及IDF型引線框架組件。

背景技術

芯片封裝，是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術，不僅起到安放、固定、密封、保護芯片和增強導熱性能的作用，而且還是溝通芯片內部世界與外部電路的橋梁。晶體管外形封裝，英文簡寫為TO(Transistor Outline)。TO-220是目前大功率晶體管、中小規模集成電路等常采用的一種直插式的封裝形式，一般可以引出3個、5個或7個引腳，標準TO-220封裝的引腳間距為2.54mm。相對SOT、SOP封裝而言，由于其散熱性和高功率特性具有不可替代的優勢，廣泛應用在大功率電子產品中。就目前而言，單排的TO-220封裝比較常見，單排結構的制造難度和封裝工藝難度都很低，技術比較成熟，但是單排結構的TO-220封裝其生產成本較高，體積較大，難以滿足現今電子產品日趨小型化的需求。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服上述現有技術中單排結構的TO-220封裝其生產成本較高，體積較大，難以滿足現今電子產品日趨小型化的需求的不足，提供了一種IDF型引線框架結構。

本實用新型是這樣實現的：IDF型引線框架結構，其包括上安裝單元組以及下安裝單元組，所述上安裝單元組包括多個并排設置的上安裝單元，所述下安裝單元組包括多個并排設置的下安裝單元，其中，所述上安裝單元包括上散熱板、上基島以及上引腳，所述下安裝單元包括下散熱板、下基島以及下引腳，每個所述上安裝單元的所述上引腳插入所述下安裝單元的所述下引腳的間隙中，所述上散熱板以及所述下散熱板中均設有定位孔。

作為本實用新型的一個優選方案，每個所述上引腳與相鄰的所述下引腳之間的間距為1.27mm。

作為本實用新型的一個優選方案，每個所述上引腳與相鄰的所述上引腳之間的間距為2.54mm；每個所述下引腳與相鄰的所述下引腳之間的間距為2.54mm。

作為本實用新型的一個優選方案，所述上安裝單元包括3個或者5個或者7個所述上引腳，對應的，所述下安裝單元包括3個或者5個或者7個所述下引腳。

作為本實用新型的一個優選方案，多個所述上散熱板一體成型而成，多個所述下散熱板一體成型而成。

本實用新型還提供了一種IDF型引線框架組件，其包括基板以及如上述所述的IDF型引線框架結構，其中，所述IDF型引線框架結構設于所述基板上。

作為本實用新型的一個優選方案，在相鄰的所述上安裝單元以及相鄰的所述下安裝單元之間間隔設置有注塑流道，每個注塑流道灌注與之相鄰的兩個所述上安裝單元以及兩個所述下安裝單元。

作為本實用新型的一個優選方案，每個所述注塑流道兩側的所述上安裝單元之間的間距為12.675mm；每個所述注塑流道兩側的所述下安裝單元之間的間距為13.945mm。

作為本實用新型的一個優選方案，每個所述上安裝單元與相鄰的未設置所述注塑流道的一側的所述上安裝單元之間的間距為12.675mm；每個所述下安裝單元與相鄰的未設置所述注塑流道的一側的所述上安裝單元之間的間距為12.675mm。