[實用新型]一種半導體器件

有效

• 申請號: 201920283086.1
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN209747453U
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 郝茂盛;袁根如;張楠;馬艷紅;陳朋
• 申請（專利權）人: 上海芯元基半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/00
• 代理公司: 31219 上海光華專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 余明偉<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

一復合襯底，所述復合襯底包括：生長襯底；凸起結構，呈周期性間隔分布于所述生長襯底上表面，所述凸起結構包括與所述生長襯底接觸的金屬層或金屬氧化物層保護層以及位于保護層之上的半導體介質膜層；

氮化物緩沖層，位于所述復合襯底上表面，完全覆蓋凸起結構以及凸起結構之間暴露的生長襯底；

外延過渡層，位于氮化物緩沖層表面，完全填滿所述凸起結構之間的間隙；

N型外延層，位于所述外延過渡層表面；

量子阱層，位于所述N型外延層表面；

P型外延層，位于所述量子阱層表面；

P電極與N電極，分別用于所述P型外延層與所述N型外延層的電引出。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件的結構為正裝結構、倒裝結構或者垂直結構。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬層或金屬氧化物層保護層的材料包括鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈦的氧化物(TiOx)或銦錫氧化物(ITO)。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬層或金屬氧化物層保護層的厚度為

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述生長襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、ZnO、GaN。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述凸起結構的形狀包括圓柱、方柱、圓錐、或蒙古包。