[實用新型]一種帶壓力調控結構的三氯氧磷供給裝置有效
| 申請號: | 201920258000.X | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN209344044U | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發明(設計)人: | 葉石標;顏大安 | 申請(專利權)人: | 浙江艾能聚光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州永航聯科專利代理有限公司 33304 | 代理人: | 羅偉清 |
| 地址: | 314300 浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 源瓶 恒溫箱 箱蓋 壓力調控 供給裝置 三氯氧磷 放置槽 底座 本實用新型 可拆卸的 磷源 氣壓 槽口封閉 驅動結構 上下移動 磷擴散 蒸汽壓 調控 | ||
本實用新型提供了一種帶壓力調控結構的三氯氧磷供給裝置。它解決了現有磷擴散系統的結構過于簡單,由于磷源使用后逐步減少,源瓶內部的磷源蒸汽壓會發生明顯的變化,需要頻繁調整工藝溫度來彌補,供給繁瑣等技術問題。本帶壓力調控結構的三氯氧磷供給裝置,包括底座,它還包括恒溫箱、源瓶一和源瓶二,恒溫箱固定在底座上,恒溫箱上具有放置槽一和放置槽二,恒溫箱上設置有能將放置槽一的槽口封閉住的箱蓋一,箱蓋一通過可拆卸的方式和源瓶一相連,箱蓋二通過可拆卸的方式和源瓶二相連,恒溫箱上還設置有能使箱蓋一和箱蓋二上下移動的驅動結構,底座上還設置有能調控源瓶一內氣壓和源瓶二內氣壓的壓力調控結構。本實用新型具有供給方便的優點。
技術領域
本實用新型屬于機械技術領域,涉及一種三氯氧磷供給裝置,特別是一種帶壓力調控結構的三氯氧磷供給裝置。
背景技術
太陽能電池片制作過程中的擴散工序是在P型硅上沉積一層磷原子來形成PN結,現在大部分采用液態源進行擴散,通過利用氮氣通入盛有三氯氧磷的石英源瓶中攜帶三氯氧磷蒸汽到擴散爐管內,三氯氧磷與氧氣反應生成單質磷,并在高溫下趨入硅基體內形成N型半導體。其中,磷源的擴散會直接影響到方阻的穩定性,因此,磷源的擴散是極其重要的一個步驟。
經檢索,如中國專利文獻公開了一種低壓控制晶硅片磷擴散系統【申請號:201711115386.0;公開號:CN 108010988A】。這種低壓控制晶硅片磷擴散系統,其特征在于:它包含石英擴散管、真空泵、尾氣管、壓力傳感器、進氣管、控制閥門;所述的真空泵通過管道與石英擴散管的尾氣管連接,連接管道上設有壓力傳感器和控制閥門;所述的進氣管連接在石英擴散管上。
該專利中公開的磷擴散系統雖然可降低擴散使用磷源,但是,該磷擴散系統的結構過于簡單,由于磷源使用后逐步減少,源瓶內部的磷源蒸汽壓會發生明顯的變化,即瓶內氣態磷源單位體積內濃度會明顯降低,同等氮氣流量的情況下,被攜帶進反應腔體的三氯氧磷會明顯減少,需要頻繁調整工藝溫度來彌補,供給繁瑣,因此,設計出一種帶壓力調控結構的三氯氧磷供給裝置是很有必要的。
發明內容
本實用新型的目的是針對現有的技術存在上述問題,提出了一種帶壓力調控結構的三氯氧磷供給裝置,該三氯氧磷供給裝置具有供給方便的特點。
本實用新型的目的可通過下列技術方案來實現:一種帶壓力調控結構的三氯氧磷供給裝置,包括底座,其特征在于,它還包括恒溫箱、源瓶一和源瓶二,恒溫箱固定在底座上,恒溫箱上具有放置槽一和放置槽二,恒溫箱上設置有能將放置槽一的槽口封閉住的箱蓋一,箱蓋一通過可拆卸的方式和源瓶一相連,源瓶一的頂部插設有進氣管一和出氣管一,進氣管一的上端和聯管一的一端相連通,聯管一的一端上還設置有電磁閥一,進氣管一的下端插至源瓶一的底部,出氣管一的上端和聯管二的一端相連通,聯管二的一端上還設置有電磁閥二,出氣管一的下端插設至源瓶一的中部,恒溫箱上設置有能將放置槽二的槽口封閉住的箱蓋二,箱蓋二通過可拆卸的方式和源瓶二相連,源瓶二的頂部插設有進氣管二和出氣管二,進氣管二的上端和聯管一的另一端相連通,聯管一的另一端上還設置有電磁閥三,聯管一的中部具有氮氣輸入口,進氣管二的下端插至源瓶二的底部,出氣管二的上端和聯管二的另一端相連通,聯管二的另一端上還設置有電磁閥四,聯管二的中部通過供氣管和擴散爐相連通,出氣管二的下端插設至源瓶二的中部,恒溫箱上還設置有能使箱蓋一和箱蓋二上下移動的驅動結構,底座上還設置有能調控源瓶一內氣壓和源瓶二內氣壓的壓力調控結構。
采用以上結構,通過恒溫箱可保證源瓶一和源瓶二始終保持所需的恒定溫度,一個使用完后可接著使用另一個,確保供給的連續性,同時,通過壓力調控結構可確保源瓶一和源瓶二的氣壓始終保持恒定,也就避免了因為源壓不穩定的問題,導致的方阻波動,增加了產線的穩定性,減少了異常工藝返工片的產生,無需頻繁調整工藝溫度,供給方便。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





