[實用新型]切割過程的基板組件有效
| 申請號: | 201920257682.2 | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN209418483U | 公開(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發明(設計)人: | 黃才漢;魏嵐;吳薛平;陳友三 | 申請(專利權)人: | 廈門信達光電物聯科技研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204 | 代理人: | 楊依展;張迪 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低粘度 光學膜 基板 基板組件 切割過程 切割面 貼合面 本實用新型 真空工作臺 基板接觸 簡化基板 切割軌跡 貼合 切割 應用 | ||
本實用新型提供了一種切割過程的基板組件,所述基板組件包括基板及低粘度光學膜;所述低粘度光學膜包括貼合面,所述基板包括切割面,所述切割面上具有切割軌跡;所述低粘度光學膜的貼合面貼合所述基板的切割面;所述低粘度光學膜的面積大于所述基板的面積;所述低粘度光學膜不與所述基板接觸的邊緣部分貼合一真空工作臺設置。應用本技術方案可實現簡化基板切割過程。
技術領域
本實用新型涉及基板切割領域,具體是指一種切割過程的基板組件。
背景技術
在EMC或SMC基板預切割流程中,首先將帶有高粘度膠水層的UV膜貼附在EMC或SMC基板正面上;然后將EMC或SMC基板貼膜的一面放置在切割機的載物臺上(切割機廠家如DISCO,NDS),利用載物臺上的真空吸孔吸附住UV膜;然后使用高速旋轉的金剛刀對EMC或SMC基板進行不完全切透,只切斷金屬引線;切割完成后,用365nm波長的紫外線光源對UV膜進行一定劑量的照射,使得UV膜的膠水層降低粘性,從而很容易將切割好EMC或SMC基板從UV膜上取下。自動切割機的工作臺是真空吸附,所以工作臺需保持干凈。金剛刀片因為轉速非常快,最高可以到每秒3000轉,在切割物表面會產生非常大的振動,可能導致半導體芯片或封裝模塊被高速旋轉的刀片帶離UV膜,即所謂“飛片”,所以需要底膜粘性足夠。
在傳統UV膜更換低粘度光學膜切割流程中,對于EMC或SMC基板預切,粘性小的低粘度光學膜會導致切割飛料或清洗飛料,進而造成EMC或SMC基板杯里進臟污難以清洗掉。然而粘性偏高的光學膜會使EMC或SMC基板在下料時因粘性太強難以下料,甚至下料過程中導致基板破裂。LED制造中EMC或SMC基板在進行預切割時需要底膜,現有底膜為UV膜,UV膜在切割加工時需要進行解膠和清洗,工藝繁瑣,生產效率較低,且成本高昂。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種切割過程的基板組件,能夠實現簡化基板切割過程。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種切割過程的基板組件,所述基板組件包括基板及低粘度光學膜;所述低粘度光學膜包括貼合面,所述基板包括切割面,所述切割面上具有切割軌跡;所述低粘度光學膜的貼合面貼合所述基板的切割面;所述低粘度光學膜的面積大于所述基板的面積;所述低粘度光學膜不與所述基板接觸的邊緣部分貼合一真空工作臺設置。
在一較佳的實施例中,所述低粘度光學膜具有一定透明度
相較于現有技術,本實用新型的技術方案具備以下有益效果:
本實用新型提供了一種切割過程的基板組件,使得基板切割流程簡化至貼膜、切割、下料,而傳統的UV膜切割工藝是貼膜、切割、清洗、解膠、下料,相比少了清洗和解膠時間;縮短了產品加工時間,節約生產成本。采用這種切割過程的基板組件實施的切割工藝是覆蓋式的切割,工作臺上真空吸附力代替膜粘性力,污水難以滲透到基板杯里,相比現有工藝粘度要求較低,只需黏住基板不掉就行,而且真空吸附工作臺本身高潔凈度,不會對EMC或SMC基板造成污染,所以無需清洗步驟。且這種基板組件可擴展運用于其他基板預切,只需切割產品不完全切斷便可。本發明切割方法可以減少工序,提高生產效率,降低生產成本,減少紫外光環境污染。
附圖說明
圖1為本實用新型優選實施例中基板組件與真空工作臺的位置關系示意圖;
圖2為本發明優選實施例中基板組件的具體結構示意圖;
圖3為本發明優選實施例中基板組件被切割時的狀態示意圖;
圖4為本發明優選實施例中基板的切割軌跡分布示意圖。
具體實施方式
下文結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





