[實(shí)用新型]發(fā)光二極管芯片及發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920255562.9 | 申請日： | 2019-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN209515726U | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王思博;胡歡歡;簡弘安;劉宇軒;陳順利;丁逸圣 | 申請（專利權(quán)）人： | 大連德豪光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭瑋;李雙皓 |
| 地址： | 116051 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管芯片 發(fā)光二極管 電流擴(kuò)展層 電流阻擋層 晶圓 分布式布拉格反射鏡 發(fā)光效果 依次層疊 申請 | ||
本申請涉及一種發(fā)光二極管芯片及發(fā)光二極管，發(fā)光二極管芯片包括依次層疊設(shè)置的發(fā)光二極管晶圓、電流擴(kuò)展層和電流阻擋層。其中，所述發(fā)光二極管晶圓開設(shè)有臺階；所述發(fā)光二極管芯片還包括P電極和N電極，所述P電極設(shè)置于所述電流擴(kuò)展層，所述N電極設(shè)置于所述臺階；所述電流阻擋層為分布式布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)。本申請?zhí)峁┑陌l(fā)光二極管芯片能夠提高亮度和發(fā)光效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及發(fā)光二極管領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光二極管芯片及發(fā)光二極管。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管，簡稱LED(Light Emitting Diode)。隨著發(fā)光二極管技術(shù)的快速發(fā)展以及發(fā)光二極管光效的逐步提高，發(fā)光二極管的應(yīng)用將越來越廣泛。發(fā)光二極管芯片，簡稱LED芯片，是發(fā)光二極管的核心組件。
發(fā)光二極管芯片的制備主要包括刻臺階、制作隔離槽、制作電流阻擋層、制作電流擴(kuò)展層、制作電極、制作反射層、制作焊盤。
傳統(tǒng)技術(shù)中，制備發(fā)光二極管芯片時，電流阻擋層主要使用SiO2等材料，這樣的發(fā)光二極管芯片存在亮度較低的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
基于此，有必要針對上述問題，提供一種發(fā)光二極管芯片及發(fā)光二極管。
一種發(fā)光二極管芯片，包括依次層疊設(shè)置的發(fā)光二極管晶圓、電流擴(kuò)展層和電流阻擋層，其中，所述發(fā)光二極管晶圓開設(shè)有臺階；
所述發(fā)光二極管芯片還包括P電極和N電極，所述P電極設(shè)置于所述電流擴(kuò)展層，所述N電極設(shè)置于所述臺階；
所述電流阻擋層為分布式布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)。
在其中一個實(shí)施例中，所述電流阻擋層包括多個電流阻擋層段，所述多個電流阻擋層段之間間隔設(shè)置。
在其中一個實(shí)施例中，所述電流阻擋層包括多層交疊設(shè)置的第一膜層和第二膜層，所述第一膜層和所述第二膜層的折射率不同。
在其中一個實(shí)施例中，所述第一膜層和所述第二膜層的交疊總層數(shù)為4層-25層。
在其中一個實(shí)施例中，所述第一膜層的材料為TiO2或Ti3O5，所述第二膜層的材料為SiO2。
在其中一個實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片還包括所述臺階開設(shè)有隔離槽。
在其中一個實(shí)施例中，所述隔離槽的寬度為2um-10um。
在其中一個實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片還包括：
布拉格反射層，設(shè)置于所述P電極和所述N電極，所述布拉格反射層開設(shè)有電極接觸孔。
在其中一個實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片還包括：
焊盤層，設(shè)置于所述布拉格反射層，且通過所述電極接觸孔與所述P電極和所述N電極連接。
一種發(fā)光二極管，包括如上所述的發(fā)光二極管芯片。
本申請實(shí)施例提供的所述發(fā)光二極管芯片和所述發(fā)光二極管包括電流阻擋層，所述電流阻擋層為DBR結(jié)構(gòu)。DBR結(jié)構(gòu)的所述電流阻擋層能夠減少光的吸收，將更多的光反射出去，因此，相比于傳統(tǒng)SiO2的電流阻擋層，本實(shí)施提供的所述發(fā)光二極管芯片能夠提高亮度和發(fā)光效果。同時，本實(shí)施例中，所述電流阻擋層位于所述電流擴(kuò)展層的上方。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得所述發(fā)光二極管芯片在生產(chǎn)制作時，將MESA刻所述臺階和所述電流擴(kuò)展層的制作合成一道制程進(jìn)行，從而減少一道制程，縮短制作時間，提高制作效率。
附圖說明
圖1為本申請一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
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