[實用新型]發光二極管芯片及發光二極管有效
| 申請號： | 201920255562.9 | 申請日： | 2019-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN209515726U | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 王思博;胡歡歡;簡弘安;劉宇軒;陳順利;丁逸圣 | 申請（專利權）人： | 大連德豪光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭瑋;李雙皓 |
| 地址： | 116051 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管芯片 發光二極管 電流擴展層 電流阻擋層 晶圓 分布式布拉格反射鏡 發光效果 依次層疊 申請 | ||
1.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括依次層疊設置的發光二極管晶圓(100)、電流擴展層(200)和電流阻擋層(300)，其中，所述發光二極管晶圓(100)開設有臺階(110)；
所述發光二極管芯片還包括P電極(410)和N電極(420)，所述P電極(410)設置于所述電流擴展層(200)，所述N電極(420)設置于所述臺階(110)；
所述電流阻擋層(300)為分布式布拉格反射鏡結構。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述電流阻擋層(300)包括多個電流阻擋層段(310)，所述多個電流阻擋層段(310)之間間隔設置。
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述電流阻擋層(300)包括多層交疊設置的第一膜層(301)和第二膜層(302)，所述第一膜層(301)和所述第二膜層(302)的折射率不同。
4.根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一膜層(301)和所述第二膜層(302)的交疊總層數為4層-25層。
5.根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一膜層(301)的材料為TiO2或Ti3O5，所述第二膜層(302)的材料為SiO2。
6.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，還包括所述臺階(110)開設有隔離槽(500)。
7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述隔離槽(500)的寬度為2um-10um。
8.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，還包括：
布拉格反射層(600)，設置于所述P電極(410)和所述N電極(420)，所述布拉格反射層(600)開設有電極接觸孔(610)。
9.根據權利要求8所述的發光二極管芯片，其特征在于，還包括：
焊盤層(700)，設置于所述布拉格反射層(600)，且通過所述電極接觸孔(610)與所述P電極(410)和所述N電極(420)連接。
10.一種發光二極管，其特征在于，包括如權利要求1-9任意一項所述的發光二極管芯片(10)。
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