[實用新型]磁控濺射靶

有效

• 申請號: 201920255138.4
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN210104059U
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 劉洋;汪振南;見東偉;楊永雷
• 申請（專利權）人: 領凡新能源科技（北京）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京智晨知識產權代理有限公司 11584
• 代理人: 張婧

本實用新型公開一種磁控濺射靶，所述磁控濺射靶包括靶頭、靶芯主體、靶材筒，所述靶芯主體容置在所述靶材筒內，所述靶頭與所述靶芯主體連接；所述磁控濺射靶還包括：冷卻結構，所述靶頭上設有第一口和第二口，所述冷卻結構包括相互連通的第一腔和第二腔，所述第一腔位于所述靶芯主體內部，所述第二腔位于所述靶材筒與所述靶芯主體之間，所述第一腔與所述靶頭上的所述第一口連通，所述第二腔與所述靶頭上的所述第二口連通。所述磁控濺射靶具有較好的冷卻效果，能夠提高磁控濺射靶的運行穩定性。

技術領域

本實用新型涉及濺射鍍膜設備領域，特別涉及一種磁控濺射靶。

背景技術

在磁控濺射鍍膜過程中，磁控濺射靶會在輝光放電中受到離子轟擊而迅速升溫，可能會導致磁控濺射靶內的永磁體等關鍵部件毀壞，為保證磁控濺射靶在濺射時的正常工作溫度，進而保證磁控濺射靶在濺射鍍膜過程中的工藝穩定性，需要在其內部設置相應的冷卻結構，通過進入冷卻結構中的冷卻水帶走大量熱量以對磁控濺射靶進行降溫。

目前國內傳統的磁控濺射靶通常是設置水冷結構對自身進行冷卻。在實際運行中，這種水冷結構的冷卻效果差，嚴重影響了磁控濺射靶的運行效率，并導致磁控濺射靶的性能無法完全發揮，進而容易造成鍍膜質量差。

實用新型內容

為了解決現有技術中存在的上述技術問題，本實用新型提供一種具有良好的冷卻效果、能夠提高磁控濺射靶的運行穩定性的磁控濺射靶。

為解決本實用新型的技術問題，提供以下技術方案：

一種磁控濺射靶，包括靶頭、靶芯主體、靶材筒，所述靶芯主體容置在所述靶材筒內，所述靶頭與所述靶芯主體連接；

所述磁控濺射靶還包括：冷卻結構，所述靶頭上設有第一口和第二口，所述冷卻結構包括相互連通的第一腔和第二腔，所述第一腔位于所述靶芯主體內部，所述第二腔位于所述靶材筒與所述靶芯主體之間，所述第一腔與所述靶頭上的所述第一口連通，所述第二腔與所述靶頭上的所述第二口連通。

其中，所述第一口為出液口，所述第二口為進液口。

可選的，所述靶芯主體上設有孔，所述第一腔與所述第二腔通過所述孔連通。由于第一冷卻腔與第二冷卻腔之間僅通過孔連通，在相同壓力下可使冷卻液的流速更快。

可選的，所述靶芯主體包括靶基座和靶面體，所述靶基座和所述靶面體之間圍成所述第一腔，所述靶頭與所述靶基座可拆卸連接，所述孔設置于所述靶面體。

可選的，所述冷卻結構還包括設于靶基座內的第一進液通道和槽孔，

所述第一進液通道的入口與所述靶頭的出液口連通，所述第一進液通道通過所述槽孔與所述第一腔連通。

優選的，沿所述靶基座的長度方向，所述第一進液通道貫穿所述靶基座。

可選的，所述冷卻結構還包括設于所述靶基座內的第一回液通道，

所述第二腔通過所述第一回液通道與所述靶頭上的進液口連通。這樣，進入第二腔中的冷卻液在流經整個靶芯主體的長度后再進行回流，從而能夠更好地對靶材筒進行冷卻。

可選的，所述磁控濺射靶還包括靶堵頭，所述靶堵頭與所述靶頭分別設于所述靶基座的兩端，所述靶堵頭與所述靶基座可拆卸連接，所述靶堵頭上設有回液孔，所述回液孔用于連通所述第二腔和所述第一回液通道。通過設置靶堵頭，且由于靶芯主體和靶堵頭之間采用可拆卸連接，因而便于對靶芯主體內部的冷卻結構進行清理，同時也可方便地為第二腔中的冷卻液進入回流通道提供入口。

優選的，沿所述靶基座的長度方向，所述第一回液通道貫通所述靶基座以與所述回液孔連通。

優選的，所述孔的數量為多個，多個所述孔設于所述靶面體上背離所述靶頭的一端；和/或，