[實用新型]一種可吹掃的黑硅制絨裝置

有效

• 申請號: 201920240563.6
• 申請日: 2019-02-26
• 公開（公告）號: CN209526072U
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 孫鵬;鄭守春;張良;唐駿;席珍強;余剛
• 申請（專利權）人: 鎮江仁德新能源科技有限公司;鎮江榮德新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳國強

本實用新型公開了一種可吹掃的黑硅制絨裝置，包括機械臂、預脫水槽槽體和晶片籃，所述預脫水槽槽體的頂部設置有開口，所述預脫水槽槽體內盛有純水液，位于純水液液面以上的預脫水槽槽體側壁上安裝有氣體通孔，氣流自預脫水槽槽體外穿過若干個氣體通孔吹向預脫水槽槽體內部，所述機械臂的下段連接有晶片籃，所述晶片籃內放置若干塊硅片，所述機械臂帶動晶片籃上下運動；本實用新型在硅片烘干前的預脫水槽中使用，在氣液界面附近增加氣體通孔，壓縮空氣自氣體通孔噴入預脫水槽槽體內，在預脫水過程中，機械臂將硅片緩慢從純水中提升脫水，離開液面的一瞬間，硅片經過壓縮空氣的吹掃，快速地將硅片上殘余的水分吹干，防止硅片間粘黏在一起。

技術領域

本發明屬于硅片制絨技術領域，特別涉及一種可吹掃的黑硅制絨裝置。

背景技術

太陽能電池技術的核心一直是降低成本和提升效率，制絨工藝一方面可以延長光在硅表面的光程，另一方面可以減少反射損失，從而提升效率。單晶硅片在堿制絨工藝下，反射率11%，而多晶硅片目前常用的酸制絨處理后，反射率16%，反射率偏高導致對光吸收效果變差，進而影響效率。近年來，金屬催化化學腐蝕法（MCCE）又稱黑硅制絨，作為一種新的制絨技術正在迅速得到大規模應用，該方法通過金屬離子催化與硅片接觸點的刻蝕速率，在硅片表面形成深坑。從而增大比表面積，形成陷光結構，降低反射率，提升轉化效率。

MCCE制絨過程大致為1.堿拋、2.沉銀、3.挖孔、4.擴孔、5.后清洗。其中后清洗主要作用為去除表面殘余雜質和氧化層。清洗效果直接關系到成品良率以及電池轉化效率。

由于黑硅制絨為濕法反應工藝，在烘干前硅片表面難免會殘留水滴，這些水滴在硅片間距發生變化時極易造成貼片，最終成為水漬臟污不良片。控制承載器內硅片間距對減少貼片至關重要，目前行業內主要措施為在在承載器上增加帶有卡齒的壓桿，通過卡齒將硅片分開，但是卡齒會影響硅片制絨效果，容易產生新的制絨不良，本發明在不需增加壓桿的方式防止貼片產生。

發明內容

本發明提供一種可吹掃的黑硅制絨裝置，以解決現有技術中的問題。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種可吹掃的黑硅制絨裝置，包括機械臂1、預脫水槽槽體2和晶片籃3，所述預脫水槽槽體2的頂部設置有開口，所述預脫水槽槽體2內盛有純水液5，位于純水液5液面以上的預脫水槽槽體2側壁上安裝有氣體通孔8，氣流10自預脫水槽槽體2外穿過若干個氣體通孔8吹向預脫水槽槽體2內部，所述機械臂1的下段連接有晶片籃3，所述晶片籃3內放置若干塊硅片4，所述機械臂1帶動晶片籃3上下運動。

進一步的，所述預脫水槽槽體2的側壁上設置有若干個氣體吹掃蓋板安裝口6，每個氣體吹掃蓋板安裝口6上均安裝有氣體吹掃蓋板7，每個氣體吹掃蓋板7上設置有若干個氣體通孔8。

進一步的，所述氣體吹掃蓋板安裝口6位于純水液5液面以上0.5-3cm處的預脫水槽槽體2側壁上。

進一步的，所述氣體吹掃蓋板7上的氣體通孔8分為3種，分別是水平通孔、斜向上通孔和斜向下通孔，其中：水平通孔的孔內壁與純水液5液面平行，氣體經過水平通孔，水平吹入預脫水槽槽體2內部，斜向上通孔的孔內壁相較于純水液5液面傾斜向上，氣體經過斜向上通孔，向上吹入預脫水槽槽體2內部，斜向下通孔的孔內壁相較于純水液5液面傾斜向下，氣體經過斜向下通孔，向下吹入預脫水槽槽體2內部。

進一步的，所述氣體吹掃蓋板7上自上而下依次設置斜向上通孔、水平通孔和斜向下通孔，斜向上通孔為若干個，呈陣列式排布，所述水平通孔為若干個，呈陣列式排布，所述斜向下通孔為若干個，呈陣列式排布。

進一步的，所述斜向上通孔的延長線與水平通孔的延長線呈15-45°夾角，所述斜向下通孔的延長線與水平通孔的延長線呈15-45°夾角。