[實(shí)用新型]一種立體封裝MRAM存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920230600.5 | 申請日： | 2019-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN209471949U | 公開（公告）日： | 2019-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 顏軍;湯凡;王烈洋;占連樣 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海歐比特宇航科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291 | 代理人： | 閆有幸 |
| 地址： | 519080 廣東省珠*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銅帶 引腳 底板層 芯片層 芯片 存儲器 電氣連接 對外連接 所屬芯片 封裝 本實(shí)用新型 抗沖擊性能 扁平帶狀 存儲設(shè)備 堆疊設(shè)置 高度降低 航天領(lǐng)域 空間條件 傳統(tǒng)的 上表面 疊層 受限 阻抗 航空 | ||
1.一種立體封裝MRAM存儲器，包括：從下至上堆疊設(shè)置的一個底板層和多個芯片層；每一芯片層分別包括一個MRAM芯片；所述底板層設(shè)有用于對外連接的引腳，所述堆疊的一個底板層和多個芯片層經(jīng)灌封、切割后在周邊露出電氣連接引腳，并在外表面設(shè)有鍍金連接線；鍍金連接線將所述一個底板層和多個芯片層上露出的電氣連接引腳進(jìn)行相互連接，其特征在于：
每個芯片層還分別包括銅帶，所述銅帶為扁平帶狀，設(shè)置在相應(yīng)芯片層內(nèi)MRAM芯片的上表面一側(cè)；所述銅帶將所屬芯片層的MRAM芯片的引腳與所述底板層上對外連接的引腳電氣連接，或者將所屬芯片層的MRAM芯片的多個引腳電氣連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立體封裝MRAM存儲器，其特征在于，所述銅帶的個數(shù)為兩個，分別沿所屬芯片層的MRAM芯片的兩排引腳排列方向設(shè)置；所述兩個銅帶在MRAM芯片上表面形成容置空腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的立體封裝MRAM存儲器，其特征在于，每個芯片層還包括填充片，所述填充片設(shè)置在所述容置空腔內(nèi)，所述填充片用于填充所述容置空腔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的立體封裝MRAM存儲器，其特征在于，每個芯片層還包括膠膜，所述膠膜粘貼在相應(yīng)芯片層內(nèi)MRAM芯片的上表面，所述銅帶與所述填充片粘貼在膠膜上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的立體封裝MRAM存儲器，其特征在于，所述底板層包括底板以及引線框架，所述引線框架固定在所述底板上，所述對外連接的引腳設(shè)置在所述引線框架上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的立體封裝MRAM存儲器，其特征在于，所述底板與引線框架為一體成型結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的立體封裝MRAM存儲器，其特征在于，所述底板與所述引線框架焊接連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于珠海歐比特宇航科技股份有限公司，未經(jīng)珠海歐比特宇航科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920230600.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：芯片集成結(jié)構(gòu)
- 下一篇：一種溝槽肖特基二極管
