[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920222984.6
• 申請(qǐng)日: 2019-02-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209592023U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F·G·齊格利奧利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/482
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/482;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;崔卿虎

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體器件，其包括：半導(dǎo)體管芯，具有前表面和平坦后表面，所述半導(dǎo)體管芯在所述前表面處具有多個(gè)管芯焊盤(pán)；多個(gè)導(dǎo)電體，相對(duì)于所述半導(dǎo)體管芯側(cè)向地布置，并且突出超過(guò)所述半導(dǎo)體管芯的所述平坦后表面；模制材料，在所述半導(dǎo)體管芯與所述多個(gè)導(dǎo)電體之間；以及多個(gè)導(dǎo)電線，在所述半導(dǎo)體管芯的多個(gè)管芯焊盤(pán)中的相應(yīng)管芯焊盤(pán)與所述多個(gè)導(dǎo)電體中的相應(yīng)導(dǎo)電體之間延伸。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及諸如集成電路(IC)之類(lèi)的半導(dǎo)體器件。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于例如QFN(四方扁平無(wú)引線)類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

可以根據(jù)許多不同的制造方法來(lái)執(zhí)行例如用于QFN封裝件的半導(dǎo)體封裝。

例如，可以將半導(dǎo)體管芯附接到引線框架，并且引線接合可以被用來(lái)將半導(dǎo)體管芯的接觸焊盤(pán)連接到引線框架的引線。

又例如，可以使用倒裝芯片方法，即，將半導(dǎo)體管芯放置在引線框架上，其中接觸焊盤(pán)位于半導(dǎo)體管芯的與引線框架的表面接觸的表面上。可以經(jīng)由已經(jīng)沉積在管芯接觸焊盤(pán)上的焊料凸塊來(lái)獲得與引線框架的引線的連接。

已知的封裝制造技術(shù)可能包括許多缺點(diǎn)，因此改進(jìn)的解決方案是所期望的。

實(shí)用新型內(nèi)容

本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的目的在于提供半導(dǎo)體器件(例如，QFN功率封裝件)。

在一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括：半導(dǎo)體管芯，具有前表面和平坦后表面，所述半導(dǎo)體管芯在所述前表面處具有多個(gè)管芯焊盤(pán)；多個(gè)導(dǎo)電體，相對(duì)于所述半導(dǎo)體管芯側(cè)向地布置，并且突出超過(guò)所述半導(dǎo)體管芯的所述平坦后表面；模制材料，在所述半導(dǎo)體管芯與所述多個(gè)導(dǎo)電體之間；以及多個(gè)導(dǎo)電線，在所述半導(dǎo)體管芯的多個(gè)管芯焊盤(pán)中的相應(yīng)管芯焊盤(pán)與所述多個(gè)導(dǎo)電體中的相應(yīng)導(dǎo)電體之間延伸。

在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)導(dǎo)電體延伸穿過(guò)所述模制材料的整個(gè)厚度。

在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括金屬層，所述金屬層在突出超過(guò)所述半導(dǎo)體管芯的所述平坦后表面的所述多個(gè)導(dǎo)電體中的每個(gè)導(dǎo)電體上。

在一些實(shí)施例中，在所述多個(gè)導(dǎo)電體中的每個(gè)導(dǎo)電體上的所述金屬層鄰接所述模制材料的表面。

在另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括：半導(dǎo)體管芯，具有前表面和后表面，所述前表面是具有接合焊盤(pán)的有源表面，所述后表面形成平面；導(dǎo)電體，相對(duì)于所述半導(dǎo)體管芯側(cè)向地布置，并且突出超過(guò)由所述半導(dǎo)體管芯的所述后表面形成的所述平面；激光直接結(jié)構(gòu)化模制材料，在所述半導(dǎo)體管芯的所述前表面之上，并且在所述半導(dǎo)體管芯與所述導(dǎo)電體之間；以及導(dǎo)電線，在所述激光直接結(jié)構(gòu)化模制材料上，將所述半導(dǎo)體管芯的接合焊盤(pán)耦合到所述導(dǎo)電體。

在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電體具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面耦合到所述導(dǎo)電線，其中所述第二表面延伸超過(guò)由所述半導(dǎo)體管芯的所述后表面形成的所述平面。

在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電體的所述第一表面與所述激光直接結(jié)構(gòu)化模制材料的表面共面。

在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在所述導(dǎo)電線的所述第二表面之上的金屬層。

在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在所述導(dǎo)電線、所述導(dǎo)電體和所述半導(dǎo)體管芯的所述接合焊盤(pán)之上的模制材料。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)以下中的一個(gè)或多個(gè)：

-在沒(méi)有(一個(gè)或多個(gè))引線接合步驟的情況下組裝封裝件，例如功率封裝件，

-在沒(méi)有引線框架的情況下組裝封裝件，

-改善扇出特性，

-提供其中嵌入有半導(dǎo)體管芯的封裝件，