[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201920222984.6 | 申請日： | 2019-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN209592023U | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | F·G·齊格利奧利 | 申請（專利權）人： | 意法半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/482 | 分類號： | H01L23/482;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;崔卿虎 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國省代碼： | 意大利;IT |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體管芯 導電體 管芯焊盤 半導體器件 后表面 前表面 模制材料 側向地 導電線 平坦 延伸 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體管芯，具有前表面和平坦后表面，所述半導體管芯在所述前表面處具有多個管芯焊盤；
多個導電體，相對于所述半導體管芯側向地布置，并且突出超過所述半導體管芯的所述平坦后表面；
模制材料，在所述半導體管芯與所述多個導電體之間；以及
多個導電線，在所述半導體管芯的多個管芯焊盤中的相應管芯焊盤與所述多個導電體中的相應導電體之間延伸。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個導電體延伸穿過所述模制材料的整個厚度。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括金屬層，所述金屬層在突出超過所述半導體管芯的所述平坦后表面的所述多個導電體中的每個導電體上。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，在所述多個導電體中的每個導電體上的所述金屬層鄰接所述模制材料的表面。
5.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體管芯，具有前表面和后表面，所述前表面是具有接合焊盤的有源表面，所述后表面形成平面；
導電體，相對于所述半導體管芯側向地布置，并且突出超過由所述半導體管芯的所述后表面形成的所述平面；
激光直接結構化模制材料，在所述半導體管芯的所述前表面之上，并且在所述半導體管芯與所述導電體之間；以及
導電線，在所述激光直接結構化模制材料上，將所述半導體管芯的接合焊盤耦合到所述導電體。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述導電體具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面耦合到所述導電線，其中所述第二表面延伸超過由所述半導體管芯的所述后表面形成的所述平面。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述導電體的所述第一表面與所述激光直接結構化模制材料的表面共面。
8.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括在所述導電線的所述第二表面之上的金屬層。
9.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括在所述導電線、所述導電體和所述半導體管芯的所述接合焊盤之上的模制材料。
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