[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920214620.3
• 申請(qǐng)日: 2019-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN209708973U
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志雄;程振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市江波龍電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片，包括基板、第一晶片層、第二晶片層以及第三晶片層，第一晶片層和第二晶片層位于基板的同一側(cè)表面上，第三晶片層位于第一晶片層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，第三晶片層中并列設(shè)置有至少兩個(gè)第三晶片，從而在生產(chǎn)加工過(guò)程中，保證第三晶片的數(shù)量的同時(shí)，可以不用對(duì)其進(jìn)行堆疊設(shè)置，便于生產(chǎn)加工，提升產(chǎn)品的良率且降低第三晶片層的厚度，減少生產(chǎn)成本。另外，由于第三晶片并列設(shè)置，降低了第三晶片層的厚度，可以設(shè)置更多的第三晶片層，從而能夠提升半導(dǎo)體芯片的存儲(chǔ)容量。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片。

背景技術(shù)

近年來(lái)，智能手機(jī)、平板電腦持續(xù)走熱，半導(dǎo)體芯片作為智能硬件設(shè)備關(guān)鍵元器件也伴隨市場(chǎng)需求不斷演進(jìn)迭代，半導(dǎo)體芯片存在于智能手機(jī)中的形態(tài)也與時(shí)俱進(jìn)著。

eMCP(embedded Multi Chip Package，嵌入式多晶片封裝)為eMMC (EmbeddedMulti Media Card，嵌入式多媒體卡)結(jié)合MCP封裝，將晶片封裝在一起，與傳統(tǒng)MCP相比，能夠減少主晶片在運(yùn)算上的負(fù)擔(dān)，在體積上更小，同時(shí)省了更多電路連接設(shè)計(jì)，更便于智能手機(jī)廠商的設(shè)計(jì)生產(chǎn)。但是，現(xiàn)有的eMCP芯片，晶片只能堆疊放置，生產(chǎn)加工難度大，因此在生產(chǎn)加工過(guò)程中，易造成產(chǎn)品的不良，且芯片存儲(chǔ)容量不容易增長(zhǎng)。

也就是說(shuō)，現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體芯片良率不高，且存儲(chǔ)容量較小。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體芯片，能夠提高半導(dǎo)體芯片的良率，提高半導(dǎo)體芯片的存儲(chǔ)容量。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括基板、第一晶片層、第二晶片層以及第三晶片層，所述第一晶片層和所述第二晶片層位于所述基板的同一側(cè)表面上，所述第三晶片層位于所述第一晶片層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述第三晶片層中并列設(shè)置有至少兩個(gè)第三晶片。

其中，所述半導(dǎo)體芯片還包括封裝膠體，所述封裝膠體形成于所述基板靠近所述第一晶片層的一側(cè)表面，所述封裝膠體包覆所述第一晶片層、所述第二晶片層以及所述第三晶片層，以將所述第一晶片層、所述第二晶片層以及所述第三晶片層封裝在所述基板上。

其中，所述封裝膠體遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面與所述基板靠近所述封裝膠體的一側(cè)表面的距離為0.48mm-0.63mm。

其中，所述第三晶片層設(shè)置有至少一個(gè)，每個(gè)所述第三晶片層中的所述第三晶片的數(shù)量為2。

其中，每個(gè)所述第三晶片層中的所述第三晶片沿平行于所述基板表面的第一方向排布，所述第一晶片層和所述第二晶片層沿平行于所述基板表面的第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向垂直。

其中，所述第三晶片層沿所述第二方向的長(zhǎng)度為6mm-10.5mm中的任意值，所述第三晶片層沿所述第一方向的長(zhǎng)度為5mm-7.5mm中的任意值。

其中，所述半導(dǎo)體芯片為長(zhǎng)方體，所述半導(dǎo)體芯片沿第一方向的長(zhǎng)度為14mm-16mm中的任意值，所述半導(dǎo)體芯片沿第二方向的長(zhǎng)度為 11.2mm-11.6mm中的任意值。

其中，所述半導(dǎo)體芯片沿所述第一方向的長(zhǎng)度為15mm，所述半導(dǎo)體芯片沿第二方向的長(zhǎng)度為11.3mm或者11.5mm。

其中，所述第三晶片為DRAM晶片，所述第一晶片層包括至少一個(gè)第一晶片，所述至少一個(gè)第一晶片沿垂直于所述基板表面的方向堆疊，所述第一晶片為NAND型閃存晶片，所述第二晶片層包括主控晶片。

其中，所述第三晶片層、所述第二晶片層以及所述第一晶片層分別通過(guò)綁定線與所述基板電連接，所述第三晶片層靠近所述基板的一側(cè)表面設(shè)有綁定線保護(hù)層，所述綁定線保護(hù)層用于保護(hù)所述綁定線。