[實用新型]一種半導體芯片

有效

• 申請號: 201920214620.3
• 申請日: 2019-02-18
• 公開（公告）號: CN209708973U
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 李志雄;程振
• 申請（專利權）人: 深圳市江波龍電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片包括基板、第一晶片層、第二晶片層以及第三晶片層，

所述第一晶片層和所述第二晶片層位于所述基板的同一側表面上，

所述第三晶片層位于所述第一晶片層遠離所述基板的一側，所述第三晶片層中并列設置有至少兩個第三晶片。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片還包括封裝膠體，所述封裝膠體形成于所述基板靠近所述第一晶片層的一側表面，所述封裝膠體包覆所述第一晶片層、所述第二晶片層以及所述第三晶片層，以將所述第一晶片層、所述第二晶片層以及所述第三晶片層封裝在所述基板上。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片，其特征在于，所述封裝膠體遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述封裝膠體的一側表面的距離為0.48mm-0.63mm。

4.根據權利要求3所述的半導體芯片，其特征在于，所述第三晶片層設置有至少一個，每個所述第三晶片層中的所述第三晶片的數量為2。

5.根據權利要求4所述的半導體芯片，其特征在于，每個所述第三晶片層中的所述第三晶片沿平行于所述基板表面的第一方向排布，所述第一晶片層和所述第二晶片層沿平行于所述基板表面的第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向垂直。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，所述第三晶片層沿所述第二方向的長度為6mm-10.5mm中的任意值，所述第三晶片層沿所述第一方向的長度為5mm-7.5mm中的任意值。

7.根據權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片為長方體，所述半導體芯片沿第一方向的長度為14mm-16mm中的任意值，所述半導體芯片沿第二方向的長度為11.2mm-11.6mm中的任意值。

8.根據權利要求7所述的半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片沿所述第一方向的長度為15mm，所述半導體芯片沿第二方向的長度為11.3mm或者11.5mm。

9.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述第三晶片為DRAM晶片，所述第一晶片層包括至少一個第一晶片，所述至少一個第一晶片沿垂直于所述基板表面的方向堆疊，所述第一晶片為NAND型閃存晶片，所述第二晶片層包括主控晶片。

10.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述第三晶片層、所述第二晶片層以及所述第一晶片層分別通過綁定線與所述基板電連接，所述第三晶片層靠近所述基板的一側表面設有綁定線保護層，所述綁定線保護層用于保護所述綁定線。

11.根據權利要求10所述的半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片還包括支撐體，所述第一晶片層、所述支撐體以及所述第二晶片層依次排布在所述基板表面上，且所述支撐體一端抵頂所述基板，所述支撐體的另一端抵頂所述第三晶片層或所述綁定線保護層，以支撐所述第三晶片層。

12.根據權利要求10所述的半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片包括至少兩個所述第三晶片層，所述至少兩個第三晶片層位于所述基板的同一側，且沿垂直于所述基板表面的方向排布，所述至少兩個第三晶片層均通過所述綁定線與所述基板連接，所述至少兩個第三晶片層彼此之間設有所述綁定線保護層。

13.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述基板靠近所述第二晶片層的一側設有焊盤，所述第二晶片層通過所述焊盤固定在所述基板上。

14.根據權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，所述第三晶片沿所述第二方向的尺寸為10.007mm，所述第三晶片沿所述第一方向的尺寸為6.335mm。