[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920199312.8
• 申請日: 2019-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN209217011U
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧偉
• 申請（專利權(quán)）人: 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管芯片，其包括：外延層，自上而下依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和襯底，且所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的極性相異；透明導(dǎo)電層，形成于所述第一半導(dǎo)體層上；保護(hù)層，形成于所述透明導(dǎo)電層上；第一電極，包括第一焊盤和第一擴(kuò)展條。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)光二極管芯片電極包括焊盤和擴(kuò)展條，而擴(kuò)展條是經(jīng)由通孔與透明導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層形成電性連接，利用改變設(shè)置于擴(kuò)展條下通孔的孔徑尺寸，使距離該電極的焊盤較遠(yuǎn)的通孔的孔徑尺寸較大，而使距離該電極的焊盤較近的通孔的孔徑尺寸較小,有利于焊盤上的外加電流經(jīng)由擴(kuò)展條通過通孔均勻散布到整個(gè)芯片上，提高發(fā)光二極管的光、電性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管芯片。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（LED）被廣泛地用于固態(tài)照明光源，具有耗電量低以及壽命長等優(yōu)點(diǎn),已逐漸取代傳統(tǒng)光源。

推動(dòng)發(fā)光二極管取代傳統(tǒng)光源的過程中,發(fā)光二極管的成本是否能下降到與傳統(tǒng)光源相當(dāng)十分重要,發(fā)光二極管的成本組成主要包括外延、芯片和封裝等,在芯片方面，中國專利CN207265080U提出一種減少工藝的低成本設(shè)計(jì),其概念如圖1所示，包括：外延層，自上而下依次包括第一半導(dǎo)體層113、發(fā)光層112、第二半導(dǎo)體層111和襯底110；透明導(dǎo)電層120，形成于第一半導(dǎo)體層113上；保護(hù)層130，形成于透明導(dǎo)電層120上；第一電極，包括第一焊盤141和第一擴(kuò)展條142，與第一半導(dǎo)體層113形成電性連接；第二電極，包括第二焊盤143和第二擴(kuò)展條144，與第二半導(dǎo)體層111形成電性連接；其中第一擴(kuò)展條142形成于保護(hù)層130上，通過一系列的第一通孔151貫穿保護(hù)層130與透明導(dǎo)電層120形成電性連接；而第二擴(kuò)展條144形成于保護(hù)層130上，通過一系列的第二通孔152貫穿保護(hù)層130、透明導(dǎo)電層120、第一半導(dǎo)體層113和發(fā)光層112，與第二半導(dǎo)體層111形成電性連接。此種芯片的電極包括焊盤和擴(kuò)展條，其中焊盤的功用是供外部電路電性連接到芯片，而擴(kuò)展條的功用是將外部電路注入到焊盤的電流加以擴(kuò)展，使電流均勻散布到整個(gè)芯片上，這種芯片的電極設(shè)計(jì)較為復(fù)雜，尤其是擴(kuò)展條與透明導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層之間電性連接的通孔設(shè)計(jì),若是沒有經(jīng)過特別的優(yōu)化,將會(huì)影響發(fā)光二極管的光、電性能。

依據(jù)導(dǎo)體阻值關(guān)系式R=ρL/S,其中R為電阻、ρ為電阻率、L為長度、S為截面積，可知道電流擴(kuò)散時(shí)的阻值會(huì)與距離成正比，與截面積成反比，因此上述電極的擴(kuò)展條在遠(yuǎn)離焊盤的位置，會(huì)有較大的阻值，不利于電流擴(kuò)散，若要降低阻值而將擴(kuò)展條的截面積加大，則會(huì)遮蔽發(fā)光二極管所發(fā)出的光，使發(fā)光二極管的取光效率下降。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種發(fā)光二極管芯片，其包括：

外延層，自上而下依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和襯底，且所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的極性相異；

透明導(dǎo)電層，形成于所述第一半導(dǎo)體層上；

保護(hù)層，形成于所述透明導(dǎo)電層上；

第一電極，包括第一焊盤和第一擴(kuò)展條，所述第一焊盤和所述第一擴(kuò)展條的電性相連接，且所述第一擴(kuò)展條形成于所述保護(hù)層上，所述第一擴(kuò)展條通過若干個(gè)第一通孔貫穿所述保護(hù)層，與所述透明導(dǎo)電層形成電性連接，所述若干個(gè)第一通孔的數(shù)量為m，其中m為正整數(shù)且20≥m≥2；

第二電極，與所述第二半導(dǎo)體層形成電性連接；

其中：所述第一擴(kuò)展條下的所述若干個(gè)第一通孔的孔徑尺寸不同，距離所述第一焊盤較遠(yuǎn)的所述第一通孔的孔徑尺寸較大，而距離所述第一焊盤較近的所述第一通孔的孔徑尺寸較小。