[實用新型]一種發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201920199312.8
• 申請日: 2019-02-15
• 公開（公告）號: CN209217011U
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 顧偉
• 申請（專利權）人: 江西兆馳半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管芯片，其包括：

外延層，自上而下依次包括第一半導體層、發光層、第二半導體層和襯底，且所述第一半導體層和所述第二半導體層的極性相異；

透明導電層，形成于所述第一半導體層上；

保護層，形成于所述透明導電層上；

第一電極，包括第一焊盤和第一擴展條，所述第一焊盤和所述第一擴展條的電性相連接，且所述第一擴展條形成于所述保護層上，所述第一擴展條通過若干個第一通孔貫穿所述保護層，與所述透明導電層形成電性連接，所述若干個第一通孔的數量為m，其中m為正整數且20≥m≥2；

第二電極，與所述第二半導體層形成電性連接；

其特征在于：所述第一擴展條下的所述若干個第一通孔的孔徑尺寸不同，距離所述第一焊盤較遠的所述第一通孔的孔徑尺寸較大，而距離所述第一焊盤較近的所述第一通孔的孔徑尺寸較小。

2.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述第二電極包括第二焊盤和第二擴展條，所述第二焊盤和所述第二擴展條的電性相連接，且所述第二擴展條形成于所述保護層上，所述第二擴展條通過若干個第二通孔貫穿所述保護層、所述透明導電層、所述第一半導體層和所述發光層，與所述第二半導體層形成電性連接，所述若干個第二通孔的數量為n，其中n為正整數且20≥n≥2。

3.根據權利要求2所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述第二擴展條下的所述若干個第二通孔的孔徑尺寸不同，距離所述第二焊盤較遠的所述第二通孔的孔徑尺寸較大，而距離所述第二焊盤較近的所述第二通孔的孔徑尺寸較小。

4.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述第一焊盤形成于所述第一半導體層上，與所述第一半導體層和所述透明導電層形成電性連接。

5.根據權利要求2所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述第二焊盤形成于所述第二半導體層上，與所述第二半導體層形成電性連接。