[實用新型]一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲器

有效

• 申請號: 201920177352.2
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN209249457U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 李晗;余歡
• 申請（專利權）人: 西安微電子技術研究所
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/538
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

本實用新型公開了一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲器，結構上利用兩層互聯印制板作為三維結構堆疊層，將兩芯片通過同一個互聯印制板焊接互聯，將兩互聯印制板堆疊，將四個芯片、兩層層間互連印制板、一個引線框架層的引腳接線連接成一個NAND FLASH存儲器，利用層間內引線將互聯印制板上的芯片引至灌封膠外層，然后利用灌封膠外層的外部金屬鍍化層引線與底部的引線框架上的外引線連通，從而實現多個NAND FLASH芯片的電互聯，三維立體結構的設計，實現了在與單層芯片所占面積接近的情況下實現了4倍容量和2倍位寬的擴展，顯著減少存儲器器件占用PCB板的平面空間，利于系統的小型化，尤其適合應用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天領域。

技術領域

本實用新型涉及存儲設備，具體涉及一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲器。

背景技術

非易失性閃速存儲器(NAND FLASH)是計算機中的重要部件之一，是CPU能直接尋址的存儲空間，計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，其特點是存取速率快，因此內存的性能對計算機的影響非常大。

對于計算機尺寸要求嚴格的應用環境，如導彈、船舶、衛星等應用環境，內存部位所占PCB板的面積要求縮小，迫切需要一款能夠按照用戶實際需求容量及位寬的進行小型化，并且保存NAND FLASH原有特點的存儲器模塊。

近年來，隨著技術的高速發展及國家戰略安全的需要，對彈載系統的國產化、小型化和綜合打擊性能提出了更高的需求。系統迫切需要體積小、綜合抗輻照能力強的非易失性閃速存儲器。

很多電子產品都需要使用NAND FLASH器件，而且電子產品處理數據量越來越大，要求存儲空間越來越大。各種NAND FLASH的容量有限，要實現大容量勢必要在PCB板上放置多片NAND FLASH器件，這些器件會占用相當大的面積，引起PCB板面積的增大。

越來越多的電子產品對小型化的要求程度越來越高，PCB板的面積不僅不能擴大，還要求更小。存儲器件在板子上能夠占用的面積幾乎不可能再擴大。系統板需要容量更大、體積更小的存儲器。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NANDFLASH存儲器，以克服現有技術的不足，本實用新型能夠滿足系統板對大容量、小體積的SRAM存儲器的需求。

為達到上述目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲器，包括兩個互聯印制板和四個8G×16bit的NAND FLASH芯片，一個互聯印制板上層設有兩個NAND FLASH芯片，一個互聯印制板下層設有分別連通同一個互聯印制板上層兩個NAND FLASH芯片的兩個層間內引線，兩個互聯印制板堆疊放置，其中兩個NAND FLASH芯片位于兩個互聯印制板之間，下層互聯印制板的底部為引線框架，引線框架通過引線框架上的插槽固定有外引線，兩個互聯印制板、四個NAND FLASH芯片和引線框架通過灌封膠灌封，層間內引線位于灌封膠表面，灌封膠外層設有外部金屬鍍化層引線，層間內引線與外引線通過外部金屬鍍化層引線連通。

進一步的，外部金屬鍍化層引線外側設有包覆層。

進一步的，NAND FLASH芯片的引腳與互聯印制板引腳電氣連接，層間內引線與NAND FLASH芯片引腳連接。

進一步的，NAND FLASH芯片通過焊球陣列封裝在互聯印制板上。

進一步的，層間內引線采用PIN-42-508引線；互連印制板采用SR20M40-1或SR20M40-2印制板；外引線采用扁平引線-O6外引線。

進一步的，灌封膠采用環氧樹脂膠。