[實(shí)用新型]一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920177352.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209249457U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李晗;余歡 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安微電子技術(shù)研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L25/065 | 分類(lèi)號(hào): | H01L25/065;H01L23/538 |
| 代理公司: | 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 徐文權(quán) |
| 地址: | 710065 陜西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 印制板 互聯(lián) 芯片 三維封裝 引線框架 灌封膠 氣密 三維立體結(jié)構(gòu) 本實(shí)用新型 存儲(chǔ)器器件 高密度集成 航天領(lǐng)域 平面空間 三維結(jié)構(gòu) 電互聯(lián) 堆疊層 金屬鍍 內(nèi)引線 外引線 互連 層間 單層 堆疊 化層 接線 兩層 位寬 引腳 焊接 連通 占用 航空 外部 應(yīng)用 | ||
1.一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器,其特征在于,包括兩個(gè)互聯(lián)印制板(1)和四個(gè)8G×16bit的NAND FLASH芯片(2),一個(gè)互聯(lián)印制板(1)上層設(shè)有兩個(gè)NAND FLASH芯片(2),一個(gè)互聯(lián)印制板(1)下層設(shè)有分別連通同一個(gè)互聯(lián)印制板(1)上層兩個(gè)NAND FLASH芯片(2)的兩個(gè)層間內(nèi)引線(3),兩個(gè)互聯(lián)印制板(1)堆疊放置,其中兩個(gè)NAND FLASH芯片位于兩個(gè)互聯(lián)印制板(1)之間,下層互聯(lián)印制板(1)的底部為引線框架(4),引線框架(4)通過(guò)引線框架(4)上的插槽固定有外引線(7),兩個(gè)互聯(lián)印制板(1)、四個(gè)NANDFLASH芯片(2)和引線框架(4)通過(guò)灌封膠(5)灌封,層間內(nèi)引線(3)位于灌封膠(5)表面,灌封膠(5)外層設(shè)有外部金屬鍍化層引線(6),層間內(nèi)引線(3)與外引線(7)通過(guò)外部金屬鍍化層引線(6)連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器,其特征在于,外部金屬鍍化層引線(6)外側(cè)設(shè)有包覆層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器,其特征在于,NAND FLASH芯片(2)的引腳與互聯(lián)印制板(1)引腳電氣連接,層間內(nèi)引線(3)與NAND FLASH芯片(2)引腳連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器,其特征在于,NAND FLASH芯片通過(guò)焊球陣列封裝在互聯(lián)印制板(1)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器,其特征在于,層間內(nèi)引線采用PIN-42-508引線;互連印制板采用SR20M40-1或SR20M40-2印制板;外引線采用扁平引線-O6外引線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器,其特征在于,灌封膠采用環(huán)氧樹(shù)脂膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種容量為16G×32bit的非氣密三維封裝NAND FLASH存儲(chǔ)器,其特征在于,兩個(gè)互聯(lián)印制板分別為第一互聯(lián)印制板和第二互聯(lián)印制板,四個(gè)NANDFLASH芯片分別為第一NAND FLASH芯片U1、第二NAND FLASH芯片U2、第三NAND FLASH芯片U3和第四NAND FLASH芯片U4;
第一互聯(lián)印制板上設(shè)有第一NAND FLASH芯片U1和第二NAND FLASH芯片U2,第二互聯(lián)印制板上設(shè)有第三NAND FLASH芯片U3和第四NAND FLASH芯片U4,第一NAND FLASH芯片U1的數(shù)據(jù)線和第三NAND FLASH芯片U3的數(shù)據(jù)線連接,第二NAND FLASH芯片U2的數(shù)據(jù)線和第四NANDFLASH芯片U4的數(shù)據(jù)線連接;四片NAND FLASH芯片的命令鎖存線、地址鎖存線和寫(xiě)使能線分別連接在一起作為模塊的整體控制端,四片NAND FLASH芯片的片選線、忙/等待線、數(shù)據(jù)選通線和寫(xiě)保護(hù)線均分別單獨(dú)引出。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類(lèi)型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類(lèi)型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類(lèi)型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
- 一種互聯(lián)網(wǎng)電視終端安全訪問(wèn)互聯(lián)網(wǎng)的方法
- 一種互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用交互方法、裝置及系統(tǒng)
- 一種多屏互動(dòng)方法、服務(wù)器、終端及系統(tǒng)
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