[實用新型]一種LED燈絲芯片以及LED燈絲

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920173110.6
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN209592028U
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳俊昌;黃子岳;林聰輝;白梅英
• 申請（專利權(quán)）人: 晶宇光電(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;F21K9/20
• 代理公司: 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218
• 代理人: 何家富

本實用新型提供一種LED燈絲芯片以及具有該LED燈絲芯片的LED燈絲；該LED燈絲芯片直接由LED外延片通過芯片制備工藝來完成，其外延片的襯底當(dāng)做現(xiàn)有技術(shù)中LED燈絲的基板，無需采用現(xiàn)有技術(shù)中的固晶和多個LED芯片之間的焊線工藝，能夠節(jié)省傳統(tǒng)制備工藝步驟，在后續(xù)制備LED燈絲步驟中，二個焊線電極分別通過焊線電連接發(fā)光體的正/負(fù)極，再進(jìn)行封膠即可，節(jié)省成本；因多個發(fā)光單元之間無需采用焊線焊接，質(zhì)量得到更好的保障；且發(fā)光單元與襯底之間接觸緊密，發(fā)光單元產(chǎn)生的熱直接傳遞至襯底上，再借由襯底散熱至外部，散熱途徑短、散熱性好。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，具體涉及一種LED燈絲芯片以及具有該 LED燈絲芯片的LED燈絲。

背景技術(shù)

LED(Light Emitting Diode)，發(fā)光二極管，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。作為目前全球最受矚目的新一代光源，LED因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優(yōu)點，被稱為是21世紀(jì)最有發(fā)展前景的綠色照明光源。

LED燈絲燈是其中一種用于替換白熾燈的燈型，LED燈絲燈的LED燈絲也叫 LED燈柱，以往LED光源要達(dá)到一定的光照度和光照面積，需加裝透鏡之類的光學(xué)器件，影響光照效果，會降低LED應(yīng)有的節(jié)能功效，LED燈絲實現(xiàn)360°全角度發(fā)光，大角度發(fā)光且不需加透鏡，實現(xiàn)立體光源，帶來前所未有的照明體驗。

但是現(xiàn)有的LED燈絲，其制備工藝是：將多顆完整的LED芯片固晶在專用的基板上，在通過焊線將多顆LED芯片與基板焊接形成電連接，最后再進(jìn)行封膠。該種封裝方式需要專門的基板(如陶瓷(Al₂O₃)基板、金屬基板等)，基板上需要設(shè)置固晶的焊盤以及電極，成本較高，制備方式較為復(fù)雜；再者，多顆 LED芯片的焊線容易因封裝膠的應(yīng)力而扯斷，質(zhì)量較難以保障；且現(xiàn)有技術(shù)中， LED芯片的散熱途徑需要經(jīng)過LED芯片本身的襯底再傳導(dǎo)至基板上，熱接觸性較差，散熱沒有得到進(jìn)一步的改善。

實用新型內(nèi)容

為此，本實用新型提供一種能夠節(jié)省傳統(tǒng)制備工藝步驟且散熱途徑短、散熱好的LED燈絲芯片的結(jié)構(gòu)以及具有該LED燈絲芯片的LED燈絲。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供的技術(shù)方案如下：

一種LED燈絲芯片，包括：

外延基底，包括襯底以及間隔設(shè)置在襯底上的多個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元均包括依次層疊于襯底上的N型層、發(fā)光層及P型層，所述P型層的部分表面被蝕刻裸露出所述N型層；

電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層設(shè)于各個發(fā)光單元的P型層表面；

P電極和N電極，分別設(shè)于各個發(fā)光單元的電流擴(kuò)散層和裸露出的N型層表面；

絕緣保護(hù)層，設(shè)于各個發(fā)光單元的電流擴(kuò)散層、N型層以及P型層和N型層之間的交界處的表面，以及還填充于相鄰發(fā)光單元之間的間隙；

垮橋電極，所述垮橋電極設(shè)于絕緣保護(hù)層表面并連通不同發(fā)光單元上的P 電極或N電極，使多個發(fā)光單元電連接形成發(fā)光體；

焊線電極，所述焊線電極設(shè)有二個并分別設(shè)于襯底表面。

進(jìn)一步的，所述襯底為Al₂O₃襯底。

進(jìn)一步的，所述電流擴(kuò)散層為ITO膜層、AZO膜層、ZnO膜層或石墨烯膜層。

進(jìn)一步的，所述絕緣保護(hù)層的材料采用SiN、SiO₂、SiON、Al₂O₃、MgF₂中的一種。

進(jìn)一步的，還包括電流阻擋層，所述電流阻擋層設(shè)置于由P電極垂直投影于P型層的表面位置，并被電流擴(kuò)散層所覆蓋。