[實用新型]用于寄生參數提取的添加的版圖單元

有效

• 申請號: 201920166909.2
• 申請日: 2019-01-30
• 公開（公告）號: CN209433405U
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 閆星臣;任叢飛;郭美興;郭俊彥
• 申請（專利權）人: 貴州華芯通半導體技術有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 萬里晴

1.一種用于提取標準單元的寄生參數的添加的版圖單元，其特征在于：所述添加的版圖單元被設置于待提取標準單元周圍用于模擬所述待提取標準單元的周圍布線環境，其中，所述添加的版圖單元包括：

上部，所述上部與待提取標準單元的上側相連接；

下部，所述下部與待提取標準單元的下側相連接；

左部，所述左部與待提取標準單元的左側相連接；和

右部，所述右部與待提取標準單元的右側相連接，

其中所述上部、下部、左部、右部均為矩形，且所述上部或下部的長度等于所述左部長度、右部長度及所述待提取標準單元長度之和；所述上部、下部、左部、右部的高度均相同且均為待提取標準單元的高度；所述待提取標準單元的左側和右側到所述版圖單元的N型阱區的距離均大于或等于第一預定距離，其中所述N型阱區的高度與所述待提取標準單元的高度相同。

2.如權利要求1所述的添加的版圖單元,其特征在于：所述左部和右部的圖形各自包括：多個鰭式場效應晶體管圖形、多個N型有源區圖形和多個P型有源區圖形、多條多晶硅圖形、多條有源區切斷圖形、和多個多晶硅切斷圖形。

3.如權利要求2所述的添加的版圖單元，其特征在于：所述多個鰭式場效應晶體管圖形中的每個鰭式場效應晶體管圖形的寬度、和相鄰的兩個鰭式場效應晶體管圖形之間的距離與所述待提取標準單元的工藝設計規則相匹配。

4.如權利要求2所述的添加的版圖單元，其特征在于：所述多個N型有源區圖形和多個P型有源區圖形在所述添加的版圖單元的長度方向上鋪滿所述添加的版圖單元，且

其中在滿足所述待提取標準單元的工藝設計規則的條件下所述多個N型有源區圖形和多個P型有源區圖形的高度為第一預定高度，且

其中所述多個N型有源區圖形和多個P型有源區圖形與所述待提取標準單元的距離均為第二預定距離。

5.如權利要求2所述的添加的版圖單元，其特征在于：所述多條多晶硅圖形垂直于所述添加的版圖單元的長度方向并且橫跨所添加的版圖單元的上部和下部，

其中所述多條多晶硅圖形的上下邊界和所述添加的版圖單元的上部的上側和下部的下側分別重合且按照相同的間距鋪滿整個所添加的版圖單元，

其中所述待提取標準單元的左側和右側分別與所述多條多晶硅圖形中的兩條多晶硅圖形對齊，其中所述每條多晶硅圖形的寬度和所述間距與標準單元庫中的寬度和間距分別相同。

6.如權利要求2所述的添加的版圖單元，其特征在于：所述多條有源區切斷圖形垂直于所述N型有源區圖形和P型有源區圖形并將所述N型有源區圖形和P型有源區圖形切斷，并且

其中所述多條有源區切斷圖形與所述添加的版圖單元的左部的多個多晶硅圖形的圖形條中的第一多晶硅圖形條和第二多晶硅圖形條重合，并且

其中所述多條有源區切斷圖形與所述添加的版圖單元的右部的多個多晶硅圖形的圖形條中第三多晶硅圖形條和第四多晶硅圖形條重合，其中，所述第一多晶硅圖形條與所述第三多晶硅圖形條以所述待提取標準單元為鏡面對稱，第二多晶硅圖形條與所述第四多晶硅圖形條以所述待提取標準單元為鏡面對稱。

7.如權利要求2所述的添加的版圖單元，其特征在于：多個多晶硅切斷圖形的每一個的寬度和所述標準單元的多晶硅切斷圖形的寬度相同，且

其中在多個多晶硅切斷圖形的每一個的二分之一高度處與整個所述添加的版圖單元的邊界重合。

8.如權利要求2-7中的任意一項所述的添加的版圖單元，其特征在于：所添加的版圖單元的上部和下部與所述添加的版圖單元的左部和右部相比，不具有所述多條有源區切斷圖形，且所述添加的版圖單元的上部和下部的其他部分與所添加的版圖單元的左部和右部相同。

9.如權利要求1所述的添加的版圖單元，其特征在于：所添加的版圖單元的上部、下部、左部、右部以及所述待提取標準單元構成以所述待提取標準單元為基本單元的n*n陣列，所述待提取標準單元位于所述n*n陣列的中心，其中，n為大于或等于3的正整數。