[實用新型]激光調Q模塊、電路有效
| 申請號： | 201920165147.4 | 申請日： | 2019-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN209561856U | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發明（設計）人： | 史斐;李錦輝;吳麗霞;翁文;吳鴻春;葛燕;鄧晶;張政;林紫雄;阮開明;陳金明;黃見洪;林文雄 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | H01S3/11 | 分類號： | H01S3/11 |
| 代理公司： | 北京元周律知識產權代理有限公司 11540 | 代理人： | 胡璇 |
| 地址： | 350002 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電感 隔離線圈 觸發 晶體管單元 電感單元 激光調Q 電路 輸入端連接 連續可調 模塊結構 輸出電壓 輸出脈沖 重復頻率 控制極 輸出端 脈沖 并聯 申請 | ||
本申請公開了一種激光調Q模塊、電路，該模塊包括：晶體管單元和電感單元，晶體管單元包括：MOS場效應晶體管；電感單元包括：脈沖地觸發輸入和電感隔離線圈，觸發輸入與電感隔離線圈的輸入端連接；電感隔離線圈的輸出端與MOS場效應晶體管的控制極和MOS場效應晶體管的S極并聯。該模塊結構簡單，輸出電壓連續可調，各級開關的觸發輸出脈沖同步精度高，重復頻率可達幾十KHz。
技術領域
本申請涉及一種激光調Q模塊、電路，尤其能實現高重頻激光輸出，高電壓輸入，屬于激光技術領域。
背景技術
在現有技術中，通過對激光器中電光晶體兩端加減電壓，使激光諧振腔的損耗發生突變，從而實現高峰值功率、窄脈沖寬度激光的輸出。該手段所用控制電路結構復雜，對電光晶體施加電壓高低受元器件本身特性限制，無法產生實現高壓調節，限制了對激光器的調整范圍。
實用新型內容
根據本申請的一個方面，提供了一種激光調Q模塊，該模塊結構簡單，輸出電壓連續可調，各級開關的觸發輸出脈沖同步精度高，重復頻率可達幾十KHz。
所述激光調Q模塊，其特征在于，包括：晶體管單元和電感單元，所述晶體管單元包括：MOS場效應晶體管；
所述電感單元包括：脈沖地觸發輸入和電感隔離線圈，所述觸發輸入與所述電感隔離線圈的輸入端連接；
所述電感隔離線圈的輸出端與所述MOS場效應晶體管的控制極和所述MOS場效應晶體管的S極串聯。
可選地，所述觸發輸入為低壓脈沖方波觸發輸入。
可選地，所述晶體管單元包括第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的兩端分別與所述MOS場效應晶體管的S極和D極連接；
所述第二電阻的兩端分別與所述MOS場效應晶體管的控制極、S極連接。
本申請的另一方面還提供了一種激光調Q電路，包括：至少一級如上述的激光調Q模塊。
可選地，包括：高壓輸入輸出模塊，所述高壓輸入輸出模塊與所述激光調Q模塊的調Q輸出端連接。
可選地，所述激光調Q模塊包括：調Q輸入端和調Q接地端，
所述調Q輸入端與觸發輸入連接；
所述調Q接地端與MOS場效應晶體管的S極連接；
所述調Q輸出端與MOS場效應晶體管的D極與第一電阻連接。
可選地，所述高壓輸入輸出模塊包括：高壓直流輸入端、脈沖電壓輸出端，所述調Q輸出端與所述高壓直流輸入端和所述脈沖電壓輸出端連接。
可選地，所述高壓輸入輸出模塊包括第一級激光調Q模塊、第二級激光調Q模塊至第n級激光調Q模塊，所述第二級激光調Q模塊至第n-1級激光調Q模塊均包括第一電阻端和第二電阻端；
所述第一級激光調Q模塊包括所述第二電阻端；
所述第n級激光調Q模塊包括所述第一電阻端；
所述第一級激光調Q模塊的調Q接地端接地，所述第一級激光調Q模塊的調Q輸入端與所述觸發輸入連接，所述第一級激光調Q模塊的調Q輸出端與所述第二級激光調Q模塊的調Q接地端連接，所述第一級激光調Q模塊的第二電阻端與所述第二級激光調Q模塊的第一電阻端連接；
所述第二級激光調Q模塊的輸入端與所述觸發輸入連接，所述第二級激光調Q模塊的調Q輸出端與第三級激光調Q模塊的調Q接地端連接，所述第二級激光調Q模塊的第二電阻端與所述第二級激光調Q模塊的第一電阻端連接；
至
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