[實用新型]激光調Q模塊、電路

有效

• 申請號: 201920165147.4
• 申請日: 2019-01-30
• 公開（公告）號: CN209561856U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 史斐;李錦輝;吳麗霞;翁文;吳鴻春;葛燕;鄧晶;張政;林紫雄;阮開明;陳金明;黃見洪;林文雄
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: H01S3/11
• 分類號: H01S3/11
• 代理公司: 北京元周律知識產權代理有限公司 11540
• 代理人: 胡璇

1.一種激光調Q模塊，其特征在于，包括：晶體管單元和電感單元，所述晶體管單元包括：MOS場效應晶體管；

所述電感單元包括：脈沖地觸發輸入和電感隔離線圈，所述觸發輸入與所述電感隔離線圈的輸入端連接；

所述電感隔離線圈的輸出端與所述MOS場效應晶體管的控制極和所述MOS場效應晶體管的S極并聯。

2.根據權利要求1所述的激光調Q模塊，其特征在于，所述觸發輸入為低壓脈沖方波觸發輸入。

3.根據權利要求1所述的激光調Q模塊，其特征在于，所述晶體管單元包括第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的兩端分別與所述MOS場效應晶體管的S極和D極連接；

所述第二電阻的兩端分別與所述MOS場效應晶體管的控制極、S極連接。

4.一種激光調Q電路，其特征在于，包括：至少一級如權利要求1～3中任一項所述的激光調Q模塊。

5.根據權利要求4所述的激光調Q電路，其特征在于，包括：高壓輸入輸出模塊，所述高壓輸入輸出模塊與所述激光調Q模塊的調Q輸出端連接。

6.根據權利要求5所述的激光調Q電路，其特征在于，所述激光調Q模塊包括：調Q輸入端和調Q接地端，

所述調Q輸入端與觸發輸入連接；

所述調Q接地端與MOS場效應晶體管的S極連接；

所述調Q輸出端與MOS場效應晶體管的D極與第一電阻連接。

7.根據權利要求5所述的激光調Q電路，其特征在于，所述高壓輸入輸出模塊包括：高壓直流輸入端、脈沖電壓輸出端，所述調Q輸出端與所述高壓直流輸入端和所述脈沖電壓輸出端連接。

8.根據權利要求7所述的激光調Q電路，其特征在于，所述高壓輸入輸出模塊包括：第一高壓限流電阻和第二高壓限流電阻，所述調Q輸出端與所述第一高壓限流電阻的一端連接；

所述第一高壓限流電阻的另一端與所述第二高壓限流電阻連接，所述第二高壓限流電阻的另一端與所述高壓直流輸入端連接；

所述脈沖電壓輸出端與所述第一高壓限流電阻和所述第二高壓限流電阻的一端連接。

9.根據權利要求5所述的激光調Q電路，其特征在于，所述激光調Q模塊包括第一級激光調Q模塊、第二級激光調Q模塊至第n級激光調Q模塊，所述第二級激光調Q模塊至第n-1級激光調Q模塊均包括第一電阻端和第二電阻端；

所述第一級激光調Q模塊包括所述第二電阻端；

所述第n級激光調Q模塊包括所述第一電阻端；

所述第一級激光調Q模塊的調Q接地端接地，所述第一級激光調Q模塊的調Q輸入端與所述觸發輸入連接，所述第一級激光調Q模塊的調Q輸出端與所述第二級激光調Q模塊的調Q接地端連接，所述第一級激光調Q模塊的第二電阻端與所述第二級激光調Q模塊的第一電阻端連接；

所述第二級激光調Q模塊的輸入端與所述觸發輸入連接，所述第二級激光調Q模塊的調Q輸出端與第三級激光調Q模塊的調Q接地端連接，所述第二級激光調Q模塊的第二電阻端與所述第二級激光調Q模塊的第一電阻端連接；

至

所述第n級激光調Q模塊的輸入端與所述觸發輸入連接，所述第n級激光調Q模塊的調Q輸出端與所述高壓輸入輸出模塊連接，所述第n級激光調Q模塊的調Q接地端與第n-1級激光調Q模塊的調Q輸出端連接，所述第n-1級激光調Q模塊的第二電阻端與所述第n級激光調Q模塊的第一電阻端連接。