[實(shí)用新型]一種磁控濺射靶槍有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920164909.9 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210560702U | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳麗娜;劉榮華;都有為 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京大學(xué)深圳研究院 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 唐紹焜 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁控濺射 | ||
本實(shí)用新型公開了一種磁控濺射靶槍,包括基座(1)、陶瓷絕緣板(2)和磁靶(3);所述磁靶(3)設(shè)置在所述基座(1)上,所述陶瓷絕緣板(2)安裝在所述基座(1)與所述磁靶(3)之間;本實(shí)用新型體積小,磁場(chǎng)足夠大到可以濺射磁性材料的圓形磁控濺射靶槍,減小靶槍制造成本,可以在有限真空腔內(nèi)裝載多個(gè)靶槍,且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,磁場(chǎng)均勻。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種磁控濺射靶槍,尤其涉及一種可以在超高真空腔體使用的磁控濺射靶槍。
背景技術(shù)
磁控濺射鍍膜是一種物理氣相沉積濺射的鍍膜方法。可制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體,磁性和非磁性等各種材料的薄膜,且具有設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜速度快、均勻性好、密度高和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),是一種十分有效的薄膜物理沉積方法,在各個(gè)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛,特別是半導(dǎo)體行業(yè)和下一代新型自旋電子學(xué)器件領(lǐng)域。
磁控濺射需要在真空腔內(nèi)充入氬氣或反應(yīng)氣體,基片放置在靶材正上方。在靶槍的陰陽極之間施加高壓(500~1000V),氬氣或反應(yīng)氣體在高壓下被電離成帶電離子,這些帶電的離子在電場(chǎng)的作用下加速后高速地轟擊靶材,靶材受到這類高速離子的轟擊后其表面材料以微小粒子被濺射出來,沉積在基片上成膜。磁控指的是在靶陰極表面引入具有平行磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電離子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。根據(jù)靶材的形狀,磁控濺射靶可分為圓形磁控濺射靶、平面磁控濺射靶和柱狀磁控濺射靶。高校、研究所和一些高新科技公司的科研部都是采用小型圓形靶。
目前基于電磁鐵產(chǎn)生局域磁場(chǎng)設(shè)計(jì)出來的大型磁控濺射靶槍,可以滿足工業(yè)上大面積的物理沉積鍍膜的要求。但是對(duì)于這類電磁鐵型磁控濺射靶槍,由于多扎電磁線圈的使用,導(dǎo)致其裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,所需輔助儀表電源及真空配件增多,安裝體積增大,這不僅造成了整套鍍膜設(shè)備的制造成本升高,還導(dǎo)致了設(shè)備的使用和維護(hù)成本的增加。另外,由于高校和研究所等科研單位是從事前沿的科學(xué)探索研究,不需要大面積鍍膜,實(shí)驗(yàn)室一般都是使用1~2英尺左右的靶材;但是需要探索各種不同特性的功能材料,所以需要在有限的真空腔內(nèi)裝載盡可能多磁控靶腔來滿足各種探索性實(shí)驗(yàn)的要求。除此之外,隨著各類電子產(chǎn)品的智能化擴(kuò)張和下一代新型自旋電子學(xué)器件的興起,各種基于磁性薄膜的傳感器、存儲(chǔ)器和邏輯器件的需求日益增長(zhǎng)。這些磁性功能器件都是基于各類強(qiáng)鐵磁材料薄膜基礎(chǔ)之上加工和制備,但由于鐵磁材料具有高磁導(dǎo)率特性,磁控濺射靶產(chǎn)生的磁場(chǎng)大部分從鐵磁性靶材內(nèi)部通過,此類磁性靶材的磁屏蔽將會(huì)極大地減弱靶材上表面的磁場(chǎng),從而導(dǎo)致磁控濺射靶槍無法起輝進(jìn)行濺射鍍膜,或者濺射效率極低等問題。目前國(guó)內(nèi)的大尺寸電磁鐵型濺射靶槍無法安裝到各科科研單位實(shí)驗(yàn)室所擁有的小型高端鍍膜儀和超高真空腔室上,另外,目前國(guó)內(nèi)也存在一些小尺寸磁控濺射靶,但不是超高真空一體化設(shè)計(jì),同時(shí)存在磁場(chǎng)強(qiáng)度不夠,無法濺射強(qiáng)鐵磁材料等缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:現(xiàn)有技術(shù)中一般磁控濺射靶槍大,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,難以濺射磁性物質(zhì)。本實(shí)用新型技術(shù)克服以上問題,提供一種體積小,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,受熱影響小,使用方便,磁場(chǎng)足夠大到可以濺射磁性材料的圓形磁控濺射靶槍,減小靶槍制造成本,可以在有限真空腔內(nèi)裝載多個(gè)靶槍。
技術(shù)方案:
一種磁控濺射靶槍,包括基座、絕緣板和磁靶;所述磁靶設(shè)置在所述基座上,所述絕緣板安裝在所述基座與所述磁靶之間;
所述基座包括無氧銅水冷頭、不銹鋼管以及法蘭;所述法蘭焊接在所述不銹鋼管中部位置,所述不銹鋼管的底部連接有冷卻水進(jìn)水口,在所述不銹鋼管的側(cè)面位于所述法蘭下方位置設(shè)置有冷卻水出水口;所述法蘭為圓環(huán)形結(jié)構(gòu),所述不銹鋼管穿過所述法蘭;在所述法蘭上設(shè)置有真空電極,所述真空電極下端連接高壓電源;在所述不銹鋼管頂部焊接有無氧銅水冷頭,在所述無氧銅水冷頭設(shè)有若干通孔,在所述通孔中穿有螺絲桿,所述螺絲桿與所述通孔之間通過陶瓷絕緣端子絕緣;其中一所述螺絲桿與所述法蘭上設(shè)置的所述真空電極上端通過導(dǎo)線連接;
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





