[實用新型]一種矽晶片切割裝置有效
| 申請號: | 201920120891.2 | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN209461420U | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發明(設計)人: | 李翔 | 申請(專利權)人: | 佛山市南海益晶科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/677 |
| 代理公司: | 武漢明正專利代理事務所(普通合伙) 42241 | 代理人: | 張伶俐 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸盤組件 矽晶片 導軌 本實用新型 第二滑塊 第一滑塊 伺服電機 底板 吸盤 激光切割器 滑動連接 間隔分布 切割裝置 負壓泵 立梁 多方位移動 導軌橫向 導軌縱向 固定作用 上端 負壓力 輸出端 移動 吸住 連通 切割 轉換 | ||
本實用新型公開了一種矽晶片切割裝置,立梁固定于底板的其中一側邊,立梁的上端設置有兩個間隔分布的第一導軌,第一滑塊滑動連接于所述第一導軌,第一滑塊的上部設置有兩個間隔分布的第二導軌,第二滑塊滑動連接于第二導軌,激光切割器安裝于第二滑塊的下部;底板上安裝有伺服電機,伺服電機的輸出端安裝有吸盤組件,吸盤組件上設置有多個吸盤,負壓泵連通于吸盤組件。本實用新型有益效果:本實用新型第一滑塊沿第一導軌縱向移動,第二滑塊沿第二導軌橫向移動,使得激光切割器多方位移動,便于切割,伺服電機帶動矽晶片旋轉,轉換方向,負壓泵為吸盤組件提供負壓力,吸盤用于吸住矽晶片起到固定作用。
技術領域
本實用新型涉及矽晶片技術領域,尤其是一種矽晶片切割裝置。
背景技術
元素硅是一種灰色、易碎、四價的非金屬化學元素。地殼成分中27.8%是硅元素構成的,僅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比較富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發現硅元素。硅晶片又稱晶圓片,是由硅錠加工而成的,通過專門的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數以百萬計的晶體管,被廣泛應用于集成電路的制造,半導體或芯片是由硅生產出來的。晶圓片上刻蝕出數以百萬計的晶體管,這些晶體管比人的頭發要細小上百倍。半導體通過控制電流來管理數據,形成各種文字、數字、聲音、圖像和色彩。它們被廣泛用于集成電路,并間接被地球上的每個人使用。這些應用有些是日常應用,如計算機、電信和電視,還有的應用于先進的微波傳送、激光轉換系統、醫療診斷和治療設備、防御系統和NASA航天飛機。隨著社會的發展,越來越多的硅晶片被人們所使用,對于硅晶片的需求量也越來越大,硅晶片在制作時需要很好的切割,才能保證硅晶片的質量。
因此,對于上述問題有必要提出一種矽晶片切割裝置。
實用新型內容
針對上述現有技術中存在的不足,本實用新型的目的在于提供一種矽晶片切割裝置。
一種矽晶片切割裝置,包括底板、立梁、第一導軌、第二導軌、第一滑塊、第二滑塊、負壓泵和激光切割器,所述立梁固定于所述底板的其中一側邊,所述立梁的上端設置有兩個間隔分布的所述第一導軌,所述第一滑塊滑動連接于所述第一導軌,所述第一滑塊的上部設置有兩個間隔分布的所述第二導軌,所述第二滑塊滑動連接于所述第二導軌,所述激光切割器安裝于所述第二滑塊的下部;所述底板上安裝有伺服電機,所述伺服電機的輸出端安裝有吸盤組件,所述吸盤組件上設置有多個吸盤,所述負壓泵連通于所述吸盤組件。
與現有技術相比,本實用新型有益效果:本實用新型設置有第一導軌、第二導軌、第一滑塊、第二滑塊、負壓泵和激光切割器,第一滑塊沿第一導軌縱向移動,第二滑塊沿第二導軌橫向移動,使得激光切割器多方位移動,便于切割,伺服電機帶動矽晶片旋轉,轉換方向,負壓泵為吸盤組件提供負壓力,吸盤用于吸住矽晶片起到固定作用。
進一步的,所述立梁的一端安裝有第一伸縮氣缸,所述第一伸縮氣缸的輸出端固定于所述第一滑塊。
采用進一步的技術方案有益效果:第一伸縮氣缸為第一滑塊提供驅動力。
進一步的,所述第一滑塊的其中一端安裝有第二伸縮氣缸,所述第二伸縮氣缸的輸出端固定于所述第二滑塊。
采用進一步的技術方案有益效果:第二伸縮氣缸為第二滑塊提供驅動力。
進一步的,所述第一伸縮氣缸和第二伸縮氣缸均連通有氣泵。
采用進一步的技術方案有益效果:氣泵分別為第一伸縮氣缸和第二伸縮氣缸提供氣源。
進一步的,所述負壓泵、氣泵和伺服電機均電連接有控制器。
采用進一步的技術方案有益效果:控制器控制負壓泵、氣泵和伺服電機,提高工作效率。
進一步的,所述第二滑塊的下部設置有限位器。
采用進一步的技術方案有益效果:限位器起到限位作用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





