[實用新型]一種半導體晶圓真空定位裝置有效
| 申請號： | 201920120760.4 | 申請日： | 2019-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN209401605U | 公開（公告）日： | 2019-09-17 |
| 發明（設計）人： | 汪良恩;劉曉燕 | 申請（專利權）人： | 安徽安芯電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人： | 陳國俊 |
| 地址： | 247100 安徽省池州市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 盤體 半導體晶圓 本實用新型 定位裝置 連通腔室 晶圓 定位效果 晶片邊緣 中心邊緣 研磨 抽氣管 人工手 吸氣口 中空的 擦片 減薄 腔室 體內 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體晶圓真空定位裝置，其特征在于：包含盤體，所述盤體內設有中空的腔室，盤體上設有連通腔室的抽氣管，所述盤體的臺面上設有連通腔室的吸氣口，所述吸氣口由多個同心環形槽和經過圓心的條形槽組成，最大的環形槽的直徑和條形槽的長度不大于半導體晶圓的直徑。
2.如權利要求1所述的一種半導體晶圓真空定位裝置，其特征在于：所述條形槽的長度等于最外圈的環形槽的直徑。
3.如權利要求1所述的一種半導體晶圓真空定位裝置，其特征在于：所述吸氣口的外側設有一圈密封膠圈，所述密封膠圈的直徑不大于半導體晶圓的直徑。
4.如權利要求1所述的一種半導體晶圓真空定位裝置，其特征在于：所述抽氣管上設有氣閥。
5.如權利要求1所述的一種半導體晶圓真空定位裝置，其特征在于：所述臺面上以吸氣口為中心對稱設有定位樁，所述定位樁由軟質材料制成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
