[實(shí)用新型]一種帶隙基準(zhǔn)電壓源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920116279.8 | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN209417613U | 公開(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉錫鋒;居水榮;陸建恩 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人: | 蔣家華 |
| 地址: | 214153 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 帶隙基準(zhǔn)電路 一階 放大電路 前置 帶隙基準(zhǔn)電壓源 放大電路輸出 本實(shí)用新型 偏置電壓 內(nèi)部電源電壓 高輸出電壓 功率LDMOS 帶隙電壓 兩級運(yùn)算 輸出連接 輸入連接 線性調(diào)整 輸出 大輸出 低負(fù)載 調(diào)整率 級聯(lián) 整列 供電 | ||
本實(shí)用新型公開了一種帶隙基準(zhǔn)電壓源,包括前置一階帶隙基準(zhǔn)電路、第一放大電路、核心一階帶隙基準(zhǔn)電路和第二放大電路;所述前置一階帶隙基準(zhǔn)電路,用于產(chǎn)生內(nèi)部偏置電壓;所述前置一階帶隙基準(zhǔn)電路的輸出與第一放大電路的輸入連接,第一放大電路輸出內(nèi)部電源電壓為核心一階帶隙基準(zhǔn)電路供電;所述前置一階帶隙基準(zhǔn)電路的內(nèi)部偏置電壓輸出至核心一階帶隙基準(zhǔn)電路,核心一階帶隙基準(zhǔn)電路的輸出連接第二放大電路的輸入,第二放大電路輸出帶隙電壓。本實(shí)用新型采用兩級運(yùn)算放大電路和兩個(gè)帶隙基準(zhǔn)電路的級聯(lián)來實(shí)現(xiàn)3.3V高輸出電壓和低線性調(diào)整率,通過放大電路和功率LDMOS管整列實(shí)現(xiàn)30mA大輸出電流和低負(fù)載調(diào)整率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于基準(zhǔn)電壓源領(lǐng)域,具體涉及一種帶隙基準(zhǔn)電壓源。
背景技術(shù)
電壓基準(zhǔn)是集成電路的一個(gè)重要門類,也可以作為集成電路中的一個(gè)單元。對電壓基準(zhǔn)的基本要求是輸出電壓隨集成電路制造工藝、溫度、電源電壓和驅(qū)動(dòng)負(fù)載等因素的變化而變化的幅度盡可能小。1971年Wildlar首次提出了帶隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu),這是能夠滿足以上要求的最常見的解決方案,目前業(yè)界對電壓基準(zhǔn)的研究主要針對以上要求而展開。
另外,由于電壓基準(zhǔn)經(jīng)常被用作大規(guī)模集成電路中的一個(gè)單元,因此采用兼容性好的CMOS工藝設(shè)計(jì)的電壓基準(zhǔn)尤其被關(guān)注;普通帶隙基準(zhǔn)輸出電壓只能是1.25V左右(約等于硅禁帶能隙),難以實(shí)現(xiàn)較高電壓的輸出;普通帶隙基準(zhǔn)也不具備電流驅(qū)動(dòng)能力,即不能輸出電流并驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于針對上述存在的問題和不足,提出一種帶隙基準(zhǔn)電壓源,采用兩級帶隙基準(zhǔn)電路的級聯(lián),實(shí)現(xiàn)較高帶隙電壓輸出和大電流驅(qū)動(dòng)(最高輸出30mA電流),同時(shí),保證輸出電壓的低溫度系數(shù)、低線性調(diào)整率和低負(fù)載調(diào)整率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種帶隙基準(zhǔn)電壓源,包括前置一階帶隙基準(zhǔn)電路、第一放大電路、核心一階帶隙基準(zhǔn)電路和第二放大電路;
所述前置一階帶隙基準(zhǔn)電路包括偏置電壓產(chǎn)生模塊、前置啟動(dòng)模塊和前置一階帶隙模塊,偏置電壓產(chǎn)生模塊用于為前置一階帶隙模塊輸出偏置信號,前置啟動(dòng)模塊用于為前置一階帶隙模塊輸出啟動(dòng)信號,前置一階帶隙模塊用于輸出內(nèi)部偏置電壓;
所述第一放大電路包括第一運(yùn)放模塊和第一采樣反饋模塊,前置一階帶隙模塊輸出的內(nèi)部偏置電壓與第一運(yùn)放模塊的一輸入端連接,第一運(yùn)放模塊的輸出經(jīng)第一采樣反饋模塊反饋至第一運(yùn)放模塊的另一輸入端,第一運(yùn)放模塊輸出內(nèi)部電源電壓;
所述核心一階帶隙基準(zhǔn)電路包括依次連接的核心啟動(dòng)模塊、核心一階帶隙模塊和曲率補(bǔ)償模塊,第一運(yùn)放模塊輸出的內(nèi)部電源電壓分別為核心啟動(dòng)模塊、核心一階帶隙模塊和曲率補(bǔ)償模塊供電,核心啟動(dòng)模塊為核心一階帶隙模塊輸出啟動(dòng)信號,前置一階帶隙模塊為核心一階帶隙模塊輸出內(nèi)部偏置電壓,核心一階帶隙模塊為曲率補(bǔ)償模塊輸出基準(zhǔn)電壓信號,曲率補(bǔ)償模塊用于輸出經(jīng)曲率補(bǔ)償后的基準(zhǔn)電壓;
所述第二放大電路包括第二運(yùn)放模塊和第二采樣反饋模塊,曲率補(bǔ)償模塊的輸出連接第二放大模塊的一輸入端,第二運(yùn)放模塊的輸出經(jīng)第二采樣反饋模塊反饋至第二運(yùn)放模塊的另一輸入端,第二運(yùn)放模塊輸出帶隙基準(zhǔn)電壓。
進(jìn)一步地完善上述技術(shù)方案,所述前置一階帶隙模塊,由3個(gè)三極管、7個(gè)PMOS管、6個(gè)NMOS管、4個(gè)電容和3個(gè)電阻組成;
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