[實用新型]一種帶隙基準電壓源

有效

• 申請號: 201920116279.8
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN209417613U
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 劉錫鋒;居水榮;陸建恩
• 申請（專利權）人: 江蘇信息職業技術學院
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 蔣家華

1.一種帶隙基準電壓源，其特征在于：包括前置一階帶隙基準電路、第一放大電路、核心一階帶隙基準電路和第二放大電路；

所述前置一階帶隙基準電路包括偏置電壓產生模塊、前置啟動模塊和前置一階帶隙模塊，偏置電壓產生模塊用于為前置一階帶隙模塊輸出偏置信號，前置啟動模塊用于為前置一階帶隙模塊輸出啟動信號，前置一階帶隙模塊用于輸出內部偏置電壓；

所述第一放大電路包括第一運放模塊和第一采樣反饋模塊，前置一階帶隙模塊輸出的內部偏置電壓與第一運放模塊的一輸入端連接，第一運放模塊的輸出經第一采樣反饋模塊反饋至第一運放模塊的另一輸入端，第一運放模塊輸出內部電源電壓；

所述核心一階帶隙基準電路包括依次連接的核心啟動模塊、核心一階帶隙模塊和曲率補償模塊，第一運放模塊輸出的內部電源電壓分別為核心啟動模塊、核心一階帶隙模塊和曲率補償模塊供電，核心啟動模塊為核心一階帶隙模塊輸出啟動信號，前置一階帶隙模塊為核心一階帶隙模塊輸出內部偏置電壓，核心一階帶隙模塊為曲率補償模塊輸出基準電壓信號，曲率補償模塊用于輸出經曲率補償后的基準電壓；

所述第二放大電路包括第二運放模塊和第二采樣反饋模塊，曲率補償模塊的輸出連接第二放大模塊的一輸入端，第二運放模塊的輸出經第二采樣反饋模塊反饋至第二運放模塊的另一輸入端，第二運放模塊輸出帶隙基準電壓。

2.根據權利要求1所述的帶隙基準電壓源，其特征在于：所述前置一階帶隙模塊，由3個三極管、7個PMOS管、6個NMOS管、4個電容和3個電阻組成；

電容C2的正極連接PMOS管P2的源極，電容C2的負極分別連接PMOS管P2的柵極和PMOS管P5的漏極；PMOS管P2的源極連接PMOS管P3的源極，PMOS管P2的漏極連接NMOS管N3的漏極；PMOS管P3的柵極分別連接PMOS管P3的漏極、PMOS管P4的柵極和電容C3的負極，電容C3的正極分別連接PMOS管P3的源極和PMOS管P4的源極，PMOS管P3的漏極分別連接NMOS管N3的柵極和NMOS管N4的漏極；PMOS管P4的源極連接PMOS管P5的源極，PMOS管P4的漏極分別連接NMOS管N5的漏極和NMOS管N6的柵極；PMOS管P5的源極連接PMOS管P6的源極，PMOS管P5的漏極分別連接PMOS管P5的柵極和NMOS管N6的漏極；電容C4的正極分別連接PMOS管P6的源極和PMOS管P7的源極，電容C4的負極分別連接PMOS管P6的柵極和PMOS管P7的柵極；PMOS管P6的漏極分別連接NMOS管N4的柵極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接三極管Q7的集電極；電容C5的正極分別連接PMOS管P7的源極和PMOS管P8的源極；PMOS管P7的漏極分別連接NMOS管N5的柵極和三極管Q8的集電極；PMOS管P8漏極連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端連接三極管Q9的發射極，三極管Q9的基極和集電極均接地；NMOS管N3的源極分別連接NMOS管N6的源極和NMOS管N8的漏極；NMOS管N4的源極分別連接NMOS管N5的源極和NMOS管N7的漏極；NMOS管N7的源極和NMOS管N8的源極接地；三極管Q7的基極與三極管Q7的集電極連接，三極管Q7的發射極分別連接三極管Q8的發射極和電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地；三極管Q8的基極與三極管Q8的集電極連接；三極管Q9的發射極輸出內部偏置電壓net400。

3.根據權利要求1所述的帶隙基準電壓源，其特征在于：所述第一放大電路包括1個運算放大器、2個電阻和1個功率LDMOS管整列；在第一放大電路中，前置一階帶隙模塊輸出的內部偏置電壓連接至運算放大器OPA的反向輸入端，運算放大器OPA的輸出端連接功率LDPMOS管Pa的柵極，功率LDPMOS管Pa的源極接電源，功率LDPMOS管Pa的漏極連接電阻Ra的一端，Ra的另一端分別連接運算放大器OPA的正向輸入端和電阻Rb的一端，電阻Rb的另一端接地，LDPMOS管Pa的漏極輸出內部電源電壓net418；第二放大電路結構與第一放大電路結構相同。