[實(shí)用新型]改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920090577.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209266397U | 公開(公告)日: | 2019-08-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王勇;周杰;余鎣軍;楊曉東;都俊興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳賽意法微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/495 | 分類號(hào): | H01L23/495 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 羅晶;高淑怡 |
| 地址: | 518038 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 管腳 芯片單元 芯片組 引線框架 連接筋 貼片區(qū) 半導(dǎo)體產(chǎn)品 本實(shí)用新型 機(jī)器維護(hù) 傳統(tǒng)的 改進(jìn)型 管腳區(qū) 隱蔽 預(yù)設(shè) 引線框架封裝 邊緣保留 交錯(cuò)排列 相鄰兩列 第一端 壓邊 延伸 改進(jìn) | ||
1.改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,包括N列芯片組,N≥1,相鄰兩列芯片組之間通過(guò)第一連接筋連接;每列芯片組包括兩個(gè)芯片單元,每個(gè)芯片單元包括管腳區(qū)和貼片區(qū),并且每列芯片組的兩個(gè)芯片單元的管腳區(qū)的管腳之間交錯(cuò)排列、相鄰管腳之間通過(guò)對(duì)應(yīng)的第二連接筋連接;每個(gè)芯片單元的相鄰管腳之間設(shè)置預(yù)設(shè)寬度的隱蔽管腳,隱蔽管腳的第一端固定在第二連接筋上,隱蔽管腳的第二端向芯片單元的貼片區(qū)延伸并與貼片區(qū)的邊緣保留預(yù)設(shè)的第一間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,所述貼片區(qū)用于粘貼芯片;所述管腳區(qū)包括多個(gè)管腳,每個(gè)管腳均通過(guò)引線與芯片連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,管腳區(qū)包括固定管腳和引線管腳,引線管腳上設(shè)有管腳焊線區(qū)、芯片上設(shè)有芯片焊線區(qū);其中,固定管腳與貼片區(qū)固定連接、引線管腳通過(guò)對(duì)應(yīng)管腳焊線區(qū)與芯片焊線區(qū)通過(guò)引線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,引線管腳的管腳焊線區(qū)的橫截面大于該引線管腳的管腳橫截面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,隱蔽管腳與相鄰的管腳之間存在第二間隙,其中第二間隙的大小為[0.1mm,1.0mm]。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,第一間隙的大小為[0.05mm,0.45mm]。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,所述隱蔽管腳的形狀為長(zhǎng)條形、圓柱形、圓形、橢圓形、三角形以及不規(guī)則形狀的任意一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,每個(gè)芯片單元還包括固定區(qū),所述貼片區(qū)設(shè)置于固定區(qū)與管腳區(qū)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述改進(jìn)型半導(dǎo)體產(chǎn)品的IDF引線框架,其特征在于,所述固定區(qū)上設(shè)有定位孔。
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