[實用新型]一種平面結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920089869.6
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN209104569U
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙炆兼;賈釗;郭冠軍;曹廣亮;彭鈺仁
• 申請（專利權(quán)）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本實用新型公開了一種平面結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片，在VCSEL芯片的歐姆接觸層一側(cè)，形成有主氧化孔和輔助氧化孔，進而通過主氧化孔和輔助氧化孔能夠?qū)ο拗茖舆M行氧化處理，形成對應(yīng)導(dǎo)電區(qū)為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層和其余部分區(qū)為氧化結(jié)構(gòu)層的限制層，以通過氧化結(jié)構(gòu)層達到限制電流的目的，而使得電流自導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層處流過，該制作方法工藝簡單，且生產(chǎn)成本低。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的說，涉及一種平面結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片。

背景技術(shù)

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)芯片，又稱VCSEL芯片，是以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的激光發(fā)射芯片，具有體積小、圓形輸出光斑、單縱模輸出、閾值電流小、價格低廉、易集成為大面積陣列等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用與光通信、光互連、光存儲等領(lǐng)域。目前VCSEL芯片主要有臺柱結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)兩種工藝制程方式，其中，平面結(jié)構(gòu)VCSEL芯片利于各出光管相互集成，節(jié)約空間，在陣列VCSEL芯片的制作上有一定優(yōu)勢。但是，現(xiàn)有的平面結(jié)構(gòu)VCSEL芯片的制作工藝大多采用離子注入的方法限制電流，而使得現(xiàn)有平面結(jié)構(gòu)VCSEL芯片的制作難度大，且生產(chǎn)成本較高。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型提供了一種平面結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片，VCSEL芯片形成有主氧化孔和輔助氧化孔，進而通過主氧化孔和輔助氧化孔對限制層進行氧化處理，形成對應(yīng)導(dǎo)電區(qū)為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層和其余部分區(qū)為氧化結(jié)構(gòu)層的限制層，通過氧化結(jié)構(gòu)層達到限制電流的目的，該制作方法工藝簡單，且生產(chǎn)成本低。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供的技術(shù)方案如下：

一種平面結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片，包括：

襯底；

位于所述襯底一表面上的第一半導(dǎo)體多層膜反射鏡；

位于所述第一半導(dǎo)體多層膜反射鏡背離所述襯底一側(cè)的有源層；

位于所述有源層背離所述襯底一側(cè)的第二半導(dǎo)體多層膜反射鏡，其中，所述第二半導(dǎo)體多層膜反射鏡包括有一限制層，所述限制層劃分有至少一個導(dǎo)電區(qū)，所述限制層在所述導(dǎo)電區(qū)為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，且所述限制層在其余部分區(qū)為氧化結(jié)構(gòu)層；

位于所述第二半導(dǎo)體多層膜反射鏡背離所述襯底一側(cè)的歐姆接觸層，其中，在所述歐姆接觸層一側(cè)，環(huán)繞所述導(dǎo)電區(qū)設(shè)置有多個主氧化孔，且位于所述多個主氧化孔環(huán)繞區(qū)域外設(shè)置有至少一個輔助氧化孔，所述主氧化孔和所述輔助氧化孔均裸露所述限制層；

位于所述歐姆接觸層背離所述襯底一側(cè)的保護層，其中，所述保護層覆蓋所述歐姆接觸層背離所述襯底一側(cè)表面，及所述保護層覆蓋所述主氧化孔和所述輔助氧化孔的側(cè)壁和底面，且所述保護層對應(yīng)所述導(dǎo)電區(qū)處為鏤空；

以及，位于所述襯底背離所述第一半導(dǎo)體多層膜反射鏡一側(cè)的背面電極，及位于所述保護層背離所述襯底一側(cè)的正面電極，所述正面電極與所述歐姆接觸層電連接，且所述正面電極對應(yīng)所述導(dǎo)電區(qū)處為鏤空。

可選的，所述主氧化孔和所述輔助氧化孔均延伸至所述限制層內(nèi)預(yù)設(shè)厚度。

可選的，所述主氧化孔和所述輔助氧化孔均透過所述限制層。

可選的，所述保護層對應(yīng)所述導(dǎo)電區(qū)處的鏤空的尺寸大于所述正面電極對應(yīng)所述導(dǎo)電區(qū)處的鏤空的尺寸、且呈環(huán)形區(qū)域；

其中，所述正面電極在所述環(huán)形區(qū)域與所述歐姆接觸層相接觸而實現(xiàn)電連接。

可選的，所述第一半導(dǎo)體多層膜反射鏡為N型多層膜反射鏡；

及，所述第二半導(dǎo)體多層膜反射鏡為P型多層膜反射鏡。

可選的，所述第一半導(dǎo)體多層膜反射鏡和所述第二半導(dǎo)體多層膜反射鏡均為分布式布拉格反射鏡。