[實用新型]一種平面結構的VCSEL芯片

有效

• 申請號: 201920089869.6
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN209104569U
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 趙炆兼;賈釗;郭冠軍;曹廣亮;彭鈺仁
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底一表面上的第一半導體多層膜反射鏡；

位于所述第一半導體多層膜反射鏡背離所述襯底一側的有源層；

位于所述有源層背離所述襯底一側的第二半導體多層膜反射鏡，其中，所述第二半導體多層膜反射鏡包括有一限制層，所述限制層劃分有至少一個導電區，所述限制層在所述導電區為導電結構層，且所述限制層在其余部分區為氧化結構層；

位于所述第二半導體多層膜反射鏡背離所述襯底一側的歐姆接觸層，其中，在所述歐姆接觸層一側，環繞所述導電區設置有多個主氧化孔，且位于所述多個主氧化孔環繞區域外設置有至少一個輔助氧化孔，所述主氧化孔和所述輔助氧化孔均裸露所述限制層；

位于所述歐姆接觸層背離所述襯底一側的保護層，其中，所述保護層覆蓋所述歐姆接觸層背離所述襯底一側表面，及所述保護層覆蓋所述主氧化孔和所述輔助氧化孔的側壁和底面，且所述保護層對應所述導電區處為鏤空；

以及，位于所述襯底背離所述第一半導體多層膜反射鏡一側的背面電極，及位于所述保護層背離所述襯底一側的正面電極，所述正面電極與所述歐姆接觸層電連接，且所述正面電極對應所述導電區處為鏤空。

2.根據權利要求1所述的平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，所述主氧化孔和所述輔助氧化孔均延伸至所述限制層內預設厚度。

3.根據權利要求1所述的平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，所述主氧化孔和所述輔助氧化孔均透過所述限制層。

4.根據權利要求1所述的平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，所述保護層對應所述導電區處的鏤空的尺寸大于所述正面電極對應所述導電區處的鏤空的尺寸、且呈環形區域；

其中，所述正面電極在所述環形區域與所述歐姆接觸層相接觸而實現電連接。

5.根據權利要求1所述的平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半導體多層膜反射鏡為N型多層膜反射鏡；

及，所述第二半導體多層膜反射鏡為P型多層膜反射鏡。

6.根據權利要求1所述的平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半導體多層膜反射鏡和所述第二半導體多層膜反射鏡均為分布式布拉格反射鏡。

7.根據權利要求1所述的平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，所述平面結構的VCSEL芯片包括多個導電區，且所述多個導電區為第一導電區至第N導電區，N為不小于2的整數。

8.根據權利要求7所述的平面結構的VCSEL芯片，其特征在于，至少一對相鄰所述導電區之間設置有一所述輔助氧化孔。