[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920083386.5
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN209401606U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭海濤;嚴(yán)大生;蔡育源;徐傳賢;司徒道海
• 申請（專利權(quán)）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/66
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

晶圓，包括晶圓正面及晶圓背面，所述晶圓背面包括背金工藝形成的背面金屬鍍層；以及

貼附在所述晶圓背面的至少部分區(qū)域的金屬貼片；

其中，所述金屬貼片的中心與所述晶圓的中心重合，并且貼附有所述金屬貼片的所述晶圓背面整體呈現(xiàn)平面式。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬貼片包括圓盤形金屬貼片，所述金屬貼片選自金、銀和銅片中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述晶圓背面的中間區(qū)域的厚度小于外圍邊緣的厚度，所述中間區(qū)域形成為凹陷區(qū)，所述金屬貼片貼附在所述凹陷區(qū)的表面上，并且所述金屬貼片的形狀、尺寸與所述凹陷區(qū)的形狀、尺寸吻合當(dāng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬貼片的直徑介于190mm～290mm或200mm～300mm，所述金屬貼片的厚度介于0.3mm～0.8mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括涂覆在所述晶圓背面和所述金屬貼片之間的錫膏層，所述金屬貼片通過所述錫膏層粘合在所述晶圓背面。

6.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括自權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的晶圓切割出的單獨(dú)的晶粒以及貼附在所述晶粒背面的金屬貼片。

7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括自權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的晶圓切割出的多晶粒組合以及貼附在所述多晶粒組合的背面的金屬貼片，所述多晶粒組合及貼附在所述多晶粒組合的背面的所述金屬貼片以功率模組的形式進(jìn)行封裝，其中，在所述功率模組中，所述金屬貼片未完全切穿。