[實用新型]一種半導體器件

有效

• 申請號: 201920083386.5
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN209401606U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 郭海濤;嚴大生;蔡育源;徐傳賢;司徒道海
• 申請（專利權）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/66
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

本實用新型提供一種半導體器件，包括：晶圓，包括晶圓正面及晶圓背面，晶圓背面包括背金工藝形成的背面金屬鍍層；以及貼附在晶圓背面的至少部分區域的金屬貼片；其中，金屬貼片的中心與晶圓的中心重合，并且貼附有金屬貼片的晶圓背面整體呈現平面式。在晶圓背面貼附金屬貼片，提高了晶圓的強度，有效防止出現晶圓翹曲現象，降低搬運過程中晶圓損壞的風險。晶圓背面貼附金屬貼片后整體上是平面的，能夠在傳統的測試機臺上對晶圓進行測試，提高了測試機臺的利用率，降低晶圓測試的成本。測試后，無需去除該金屬貼片，便可進入后續的切割封裝過程。

技術領域

本實用新型涉及集成電路技術領域，具體地涉及半導體功率器件制造領域，更具體地涉及一種半導體器件。

背景技術

在集成電路中，半導體器件，尤其是功率器件是一個重要的應用領域。功率器件制造過程中，晶圓的背面工藝制程對器件電阻的降低及后續的封裝都有重要影響。對于背面工藝制程的研磨工藝，現有技術中主要有Taiko工藝和傳統的非Taiko(non-Taiko)研磨工藝。采用Taiko工藝對晶圓進行研磨時，將保留晶圓的外圍邊緣部分，只對晶圓內進行研磨薄型化。該工藝能夠降低薄型晶圓的搬運風險，并且能夠減少傳統研磨工藝造成的晶圓翹曲現象，提高晶圓的強度。

然而，由于Taiko工藝處理后的晶圓(簡稱Taiko晶圓)背面存在凹陷區，而傳統的non-Taiko研磨工藝處理后的晶圓(簡稱non-Taiko)背面為平面式，這就導致測試傳統晶圓的探針臺無法載放Taiko晶圓，反之能測試Taiko晶圓的探針臺無法載放傳統晶圓。

為了測試Taiko晶圓，目前常用的方法都是通過更改卡盤的樣式來配合吸附放置Taiko晶圓，例如將卡片設置為具有與Taiko晶圓背面的凹陷區對應的凸臺。這種更改卡盤的方式涉及到設備改造，勢必會增加測試成本，并且改造后無法零成本還原，因此無法兼容測試傳統晶圓。由此導致晶圓測試機臺的利用率降低，晶圓測試成本增加。

實用新型內容

鑒于現有技術的上述缺陷和不足，本實用新型提供一種半導體器件，該半導體器件的晶圓背面均呈平面式，無論是Taiko晶圓還是傳統的non-Taiko晶圓均能夠在傳統測試機臺上進行測試，無需對測試機臺做出任何更改，從而提高晶圓測試機臺的利用率，降低晶圓測試成本。

根據本實用新型，提供了一種半導體器件，所述半導體器件包括：

晶圓，包括晶圓正面及晶圓背面，所述晶圓背面包括背金工藝形成的背面金屬鍍層；以及

貼附在所述晶圓背面的至少部分區域的金屬貼片；

其中，所述金屬貼片的中心與所述晶圓的中心重合，并且貼附有所述金屬貼片的所述晶圓背面整體呈現平面式。

可選地，所述金屬貼片包括圓盤形金屬貼片，所述金屬貼片選自金、銀和銅片中的任意一種。

可選地，所述晶圓背面的中間區域的厚度小于外圍邊緣的厚度，所述中間區域形成為凹陷區，所述金屬貼片貼附在所述凹陷區的表面上，并且所述金屬貼片的形狀、尺寸與所述凹陷區的形狀、尺寸吻合當。

可選地，所述金屬貼片的直徑介于190mm～290mm或200mm～300mm，所述金屬貼片的厚度介于0.3mm～0.8mm。

可選地，所述半導體器件還包括涂覆在所述晶圓背面和所述金屬貼片之間的錫膏層，所述金屬貼片通過所述錫膏層粘合在所述晶圓背面。

根據本實用新型的第三方面，本實用新型提供了一種半導體器件，該半導體器件包括自晶圓切割出的單獨的晶粒以及貼附在所述晶粒背面的金屬貼片。