[實用新型]一種半導體雙NMOS芯片

有效

• 申請號: 201920077866.0
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN209374449U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 翟曉君;宋永奇
• 申請（專利權）人: 上海神沃電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/088
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種半導體雙NMOS芯片，包括：半導體IC芯片本體的上表面包括依次相連的第一側邊、第二側邊、第三側邊、第四側邊；源極鈍化層；IC芯片預留區位于半導體雙NMOS芯片本體上表面中心區；第一源極焊盤窗口位于第四側邊的邊緣區域；第二源極焊盤窗口位于第三側邊的邊緣區域；漏極焊盤窗口橫跨于中心線上且位于第二側邊與IC芯片預留區之間；其他柵極焊盤窗口和源極焊盤窗口位于第一側邊與IC芯片預留區之間；所述各窗口設置于源極鈍化層中；所述各窗口內填充有金屬層。本實用新型的半導體雙NMOS芯片有利于器件體積縮小、內阻減小，減少封裝成本，打線縮短，減少線損，具有便于封裝連接，提高控制靈敏度，提高工作穩定性和抗干擾能力的作用。

技術領域

本實用新型屬于半導體集成封裝領域，特別是涉及一種半導體雙NMOS芯片。

背景技術

在當今智能化時代各種電子產品的體積越來越小，為此要求電子器件也越來越小，目前還沒有一款應用于電子保護器的半導體雙NMOS芯片。

基于以上所述，本實用新型的目的是給出一種半導體雙NMOS芯片，以使器件體積縮小、內阻減小，減少封裝成本，打線縮短，減少線損，具有便于封裝連接，提高控制靈敏度，提高工作穩定性和抗干擾能力的作用。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種半導體雙NMOS芯片，用于使器件體積縮小、內阻減小，減少封裝成本，打線縮短，減少線損，具有便于封裝連接，提高控制靈敏度，提高工作穩定性和抗干擾能力的作用。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種半導體雙NMOS芯片，包括：

半導體雙NMOS芯片本體，所述半導體雙NMOS芯片本體包括第一NMOS和第二NMOS，所述半導體雙NMOS芯片本體的上表面包括依次相連的第一側邊、第二側邊、第三側邊、第四側邊，所述半導體雙NMOS芯片本體具有中心線，所述中心線穿過所述第一側邊和所述第二側邊的中部；

源極鈍化層，所述源極鈍化層包括第一源極鈍化層和第二源極鈍化層，所述第一源極鈍化層設置于所述第一NMOS的上表面，所述第二源極鈍化層設置于所述第二NMOS的上表面；

IC芯片預留區，位于所述半導體雙NMOS芯片本體上表面中心區；

第一源極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層中，所述第一源極焊盤窗口位于所述第四側邊的邊緣區域，所述第一源極焊盤窗口內填充有金屬層；

第二源極焊盤窗口，設置于所述第二源極鈍化層中，所述第二源極焊盤窗口位于所述第三側邊的邊緣區域，所述第二源極焊盤窗口內填充有金屬層；

漏極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層和所述第二源極鈍化層中，所述漏極焊盤窗口橫跨于所述中心線上，所述漏極焊盤窗口位于所述第二側邊與所述IC芯片預留區之間，所述漏極焊盤窗口內填充有金屬層；

第一柵極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層中，所述第一柵極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第一柵極焊盤窗口位于所述中心線的邊緣區域，所述第一柵極焊盤窗口內填充有金屬層；

第二柵極焊盤窗口，設置于所述第二源極鈍化層中，所述第二柵極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第二柵極焊盤窗口位于所述中心線的邊緣區域，所述第二柵極焊盤窗口內填充有金屬層；

第三源極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層中，所述第三源極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第三源極焊盤窗口內填充有金屬層；

第四源極焊盤窗口，設置于所述第二源極鈍化層中，所述第四源極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第四源極焊盤窗口內填充有金屬層。

可選地，所述第一NMOS的漏極和所述第二NMOS的漏極相連。