[實用新型]一種半導體雙NMOS芯片

有效

• 申請號: 201920077866.0
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN209374449U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 翟曉君;宋永奇
• 申請（專利權）人: 上海神沃電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/088
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導體雙NMOS芯片，其特征在于，包括：

半導體雙NMOS芯片本體，所述半導體雙NMOS芯片本體包括第一NMOS和第二NMOS，所述半導體雙NMOS芯片本體的上表面包括依次相連的第一側邊、第二側邊、第三側邊、第四側邊，所述半導體雙NMOS芯片本體具有中心線，所述中心線穿過所述第一側邊和所述第二側邊的中部；

源極鈍化層，所述源極鈍化層包括第一源極鈍化層和第二源極鈍化層，所述第一源極鈍化層設置于所述第一NMOS的上表面，所述第二源極鈍化層設置于所述第二NMOS的上表面；

IC芯片預留區，位于所述半導體雙NMOS芯片本體上表面中心區；

第一源極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層中，所述第一源極焊盤窗口位于所述第四側邊的邊緣區域，所述第一源極焊盤窗口內填充有金屬層；

第二源極焊盤窗口，設置于所述第二源極鈍化層中，所述第二源極焊盤窗口位于所述第三側邊的邊緣區域，所述第二源極焊盤窗口內填充有金屬層；

漏極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層和所述第二源極鈍化層中，所述漏極焊盤窗口橫跨于所述中心線上，所述漏極焊盤窗口位于所述第二側邊與所述IC芯片預留區之間，所述漏極焊盤窗口內填充有金屬層；

第一柵極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層中，所述第一柵極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第一柵極焊盤窗口位于所述中心線的邊緣區域，所述第一柵極焊盤窗口內填充有金屬層；

第二柵極焊盤窗口，設置于所述第二源極鈍化層中，所述第二柵極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第二柵極焊盤窗口位于所述中心線的邊緣區域，所述第二柵極焊盤窗口內填充有金屬層；

第三源極焊盤窗口，設置于所述第一源極鈍化層中，所述第三源極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第三源極焊盤窗口內填充有金屬層；

第四源極焊盤窗口，設置于所述第二源極鈍化層中，所述第四源極焊盤窗口位于所述第一側邊與所述IC芯片預留區之間，所述第四源極焊盤窗口內填充有金屬層。

2.根據權利要求1所述的半導體雙NMOS芯片，其特征在于：所述第一NMOS的漏極和所述第二NMOS的漏極相連。

3.根據權利要求1所述的半導體雙NMOS芯片，其特征在于：所述第一源極焊盤窗口和所述第二源極焊盤窗口內填充的金屬層種類包括銀層、金層。

4.根據權利要求1所述的半導體雙NMOS芯片，其特征在于：所述漏極焊盤窗口內填充的金屬層的種類包括鋁層、金層。

5.根據權利要求1所述的半導體雙NMOS芯片，其特征在于：所述第三源極焊盤窗口和所述第四源極焊盤窗口內填充的金屬層種類包括鋁層、金層。

6.根據權利要求1所述的半導體雙NMOS芯片，其特征在于：所述第一柵極焊盤窗口和所述第二柵極焊盤窗口內填充的金屬層種類包括鋁層、金層。