[實(shí)用新型]高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置及設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920060701.2 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN209418229U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾慶煜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市金瑞電子材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01C17/00 | 分類號(hào)： | H01C17/00 |
| 代理公司： | 深圳市華優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44319 | 代理人： | 余薇 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍華區(qū)觀湖*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 恒溫結(jié)晶裝置 高分子正溫度系數(shù) 熱敏電阻元件 本實(shí)用新型 恒溫結(jié)晶 加熱單元 控制器 預(yù)設(shè) 溫度傳感器檢測(cè) 實(shí)時(shí)溫度控制 聚合物材料 耐電壓性能 溫度傳感器 充分結(jié)晶 導(dǎo)電材料 熱敏電阻 網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 聚合物 內(nèi)阻 腔體 加熱 | ||
1.一種高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置，其特征在于，包括腔體、加熱單元、溫度傳感器和控制器，所述腔體用于密封收容高溫焊接后的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件，所述加熱單元用于對(duì)所述腔體內(nèi)的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件進(jìn)行加熱，所述溫度傳感器用于檢測(cè)所述高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的實(shí)時(shí)溫度，所述控制器用于根據(jù)所述溫度傳感器檢測(cè)的實(shí)時(shí)溫度控制所述加熱單元進(jìn)行加熱以使所述高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)保持預(yù)設(shè)恒溫溫度范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)恒溫溫度范圍為聚合物最大結(jié)晶溫度±5℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為5至10分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置，其特征在于，還包括傳送單元，用于將高溫焊接后的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件傳送到所述腔體內(nèi)、以及將恒溫結(jié)晶后的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件傳送到所述腔體外。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置，其特征在于，還包括用于對(duì)所述腔體進(jìn)行通風(fēng)的通風(fēng)單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置，其特征在于，還包括用于對(duì)恒溫結(jié)晶后的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件進(jìn)行冷卻的制冷單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的恒溫結(jié)晶裝置，其特征在于，還包括用于當(dāng)恒溫結(jié)晶達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)發(fā)出警報(bào)的警報(bào)單元。
8.一種高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的制造設(shè)備，其特征在于，包括密煉塑化裝置、造粒裝置、擠出覆膜裝置、輻照交聯(lián)裝置、切割裝置、高溫焊接裝置和如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的恒溫結(jié)晶裝置，所述密煉塑化裝置用于對(duì)聚合物和導(dǎo)電材料進(jìn)行密煉塑化，所述造粒裝置用于對(duì)所述密煉塑化裝置密煉塑化后的聚合物和導(dǎo)電材料進(jìn)行造粒以形成顆粒復(fù)合材料，所述擠出覆膜裝置用于將所述造粒裝置形成的粒復(fù)合材料進(jìn)行擠出覆膜并壓延貼覆銅箔電極以形成高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯材，所述輻照交聯(lián)裝置用于對(duì)所述擠出覆膜裝置形成的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯材進(jìn)行輻照交聯(lián)，所述切割裝置用于將所述輻照交聯(lián)裝置輻照交聯(lián)后的芯材切割成高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片，所述高溫焊接裝置用于將高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片和極片進(jìn)行高溫焊接，所述恒溫結(jié)晶裝置用于對(duì)所述高溫焊接裝置高溫焊接后的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件以預(yù)設(shè)恒溫溫度范圍和預(yù)設(shè)時(shí)間進(jìn)行恒溫結(jié)晶。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的制造設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)設(shè)恒溫溫度范圍為聚合物最大結(jié)晶溫度±5℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件的制造設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為5至10分鐘。
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